首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N56FE,LM 起订22个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N56FE,LM 起订22个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N56FE,LM

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:55pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:235mΩ@800mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTA08N50D2 起订2个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTA08N50D2 起订2个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTA08N50D2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:60W

    栅极电荷:12.7nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:312pF@25V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6Ω@400mA,0V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT290UNE,115 起订6个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT290UNE,115 起订6个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMDT290UNE,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:950mV@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:83pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:380mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMH600UNEH 起订23个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMH600UNEH 起订23个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMH600UNEH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:370mW€2.2W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.31nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21.3pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3401LDW-13 起订37个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3401LDW-13 起订37个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3401LDW-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1.6V@250μA

    栅极电荷:1.2nC@10V

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:800mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:400mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3401LDW-7 起订24个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3401LDW-7 起订24个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3401LDW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:800mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:400mΩ@590mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD220PBF 起订200个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD220PBF 起订200个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFD220PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:260pF@25V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:800mΩ@480mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT290UNE,115 起订23个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT290UNE,115 起订23个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMDT290UNE,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:950mV@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:83pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:380mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV450ENEAR 起订67个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV450ENEAR 起订67个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV450ENEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:323mW€554mW

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:3.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:101pF@30V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@900mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K56CT,L3F 起订46个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K56CT,L3F 起订46个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K56CT,L3F

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:55pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:235mΩ@800mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K56CT,L3F 起订10000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K56CT,L3F 起订10000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K56CT,L3F

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:55pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:235mΩ@800mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3401LDW-7 起订30个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3401LDW-7 起订30个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3401LDW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:800mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:400mΩ@590mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP08N50D2 起订50个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP08N50D2 起订50个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTP08N50D2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:60W

    栅极电荷:12.7nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:312pF@25V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6Ω@400mA,0V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOREX Mosfet场效应管 XP234N08013R-G 起订100个装
    TOREX Mosfet场效应管 XP234N08013R-G 起订100个装

    品牌:TOREX

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XP234N08013R-G

    功率:350mW

    阈值电压:2.6V@250μA

    栅极电荷:1.32nC@10V

    输入电容:64pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:290mΩ@400mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K56CT,L3F 起订8个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K56CT,L3F 起订8个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K56CT,L3F

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:55pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:235mΩ@800mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3401LDW-13 起订31个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3401LDW-13 起订31个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3401LDW-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1.6V@250μA

    栅极电荷:1.2nC@10V

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:800mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:400mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOREX Mosfet场效应管 XP234N08013R-G 起订500个装
    TOREX Mosfet场效应管 XP234N08013R-G 起订500个装

    品牌:TOREX

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XP234N08013R-G

    功率:350mW

    阈值电压:2.6V@250μA

    栅极电荷:1.32nC@10V

    输入电容:64pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:290mΩ@400mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMH600UNEH 起订55个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMH600UNEH 起订55个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMH600UNEH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:370mW€2.2W

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:0.31nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21.3pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN86265P 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN86265P 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN86265P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@75V

    连续漏极电流:800mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@800mA,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP08N50D2 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP08N50D2 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTP08N50D2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:60W

    栅极电荷:12.7nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:312pF@25V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6Ω@400mA,0V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N56FE,LM 起订28000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N56FE,LM 起订28000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N56FE,LM

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:55pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:235mΩ@800mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV450ENEAR 起订15个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV450ENEAR 起订15个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV450ENEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:323mW€554mW

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:101pF@30V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@900mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N56FE,LM 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N56FE,LM 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N56FE,LM

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:55pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:235mΩ@800mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N56FE,LM 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N56FE,LM 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N56FE,LM

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:55pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:235mΩ@800mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4210GTA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4210GTA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN4210GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.4V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:100pF@25V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6L56FE,LM 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6L56FE,LM 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6L56FE,LM

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:55pF@10V€100pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N和P沟道

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTY08N50D2 起订560个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTY08N50D2 起订560个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):70psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTY08N50D2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:60W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.7nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:312pF@25V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6Ω@400mA,0V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT290UNEH 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT290UNEH 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMDT290UNEH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW€1.09W

    阈值电压:950mV@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:83pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:380mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTY08N50D2 起订1050个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTY08N50D2 起订1050个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):70psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTY08N50D2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:60W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.7nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:312pF@25V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6Ω@400mA,0V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J66MFV,L3XHF 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J66MFV,L3XHF 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J66MFV,L3XHF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:100pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:P沟道

    导通电阻:390mΩ@800mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧