采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6530KNX3C16
工作温度：150℃
功率：307W
阈值电压：5V@960µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2350pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@14.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6530KNX3C16
工作温度：150℃
功率：307W
阈值电压：5V@960µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2350pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@14.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6530KNX3C16
工作温度：150℃
功率：307W
阈值电压：5V@960µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2350pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@14.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT099N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4.5V@3mA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2270pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT099N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4.5V@3mA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2270pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT099N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4.5V@3mA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2270pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：R6530KNX3C16
工作温度：150℃
阈值电压：5V@960µA
类型：N沟道
输入电容：2350pF@25V
漏源电压：650V
功率：307W
包装方式：管件
栅极电荷：56nC@10V
导通电阻：140mΩ@14.5A，10V
连续漏极电流：30A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT099N65S3
导通电阻：99mΩ@15A，10V
功率：227W
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：4.5V@3mA
类型：N沟道
漏源电压：650V
输入电容：2270pF@400V
栅极电荷：56nC@10V
连续漏极电流：30A
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6530KNX3C16
工作温度：150℃
功率：307W
阈值电压：5V@960µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2350pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@14.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6530KNX3C16
工作温度：150℃
功率：307W
阈值电压：5V@960µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2350pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@14.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT099N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4.5V@3mA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2270pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6530KNX3C16
工作温度：150℃
功率：307W
阈值电压：5V@960µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2350pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@14.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：4393}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT099N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4.5V@3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2270pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
