采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R107M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：5.7V@2.6mA
栅极电荷：15nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：496pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：141mΩ@8.9A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB24N65EFT1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2774pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：156mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPBE65R099CFD7AATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：127W
阈值电压：4.5V@630µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2513pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@12.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB150N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：5V@540µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1999pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R099CFD7AATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：127W
阈值电压：4.5V@630µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2513pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@12.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R095C7ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：128W
阈值电压：4V@590µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2140pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@11.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R107M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：5.7V@2.6mA
栅极电荷：15nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：496pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：141mΩ@8.9A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：154}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB150N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：5V@540µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1985pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL65R115CFD7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：144W
阈值电压：4.5V@480µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1942pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@9.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R095C7ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：128W
阈值电压：4V@590µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2140pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@11.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R095C7ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：128W
阈值电压：4V@590µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2140pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@11.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB24N65EFT1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2774pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：156mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：940，"9999"：192}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP65R099CFD7AAKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：127W
阈值电压：4.5V@630µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2513pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@12.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP65R099CFD7AAKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：127W
阈值电压：4.5V@630µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2513pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@12.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG24N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2740pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：145mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW65R083M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：104W
阈值电压：5.7V@3.3mA
栅极电荷：19nC@18V
包装方式：管件
输入电容：624pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：111mΩ@11.2A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP65R099CFD7AAKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：127W
阈值电压：4.5V@630µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2513pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@12.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF125N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：4V@2.1mA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2200pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT65R105G7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@440µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1670pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@8.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R107M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：5.7V@2.6mA
栅极电荷：15nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：496pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：141mΩ@8.9A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG24N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2740pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：145mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK125V65Z，LQ
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：4V@1.02mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@300V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP24N65X2
工作温度：-55℃~150℃
功率：390W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2060pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：145mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP24N65X2M
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2060pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：145mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1671，"23+"：239}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPBE65R099CFD7AATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：127W
阈值电压：4.5V@630µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2513pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@12.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP125N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：181W
阈值电压：4.5V@2.4mA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1940pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT65R105G7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@440µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1670pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@8.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：209}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW65R083M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：104W
阈值电压：5.7V@3.3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@18V
包装方式：管件
输入电容：624pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：111mΩ@11.2A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK110U65Z，RQ
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：4V@1.02mA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@300V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB24N65EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2774pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：156mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
