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    连续漏极电流: 1.6A
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    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1421EDH-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1421EDH-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1421EDH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:355pF@25V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:290mΩ@2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G02P06 起订58个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G02P06 起订58个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G02P06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:573pF@30V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:190mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LQ-13 起订37个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LQ-13 起订37个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:401pF@25V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@1.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LQ-13 起订26个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LQ-13 起订26个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:401pF@25V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@1.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1421EDH-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1421EDH-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1421EDH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:355pF@25V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:290mΩ@2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1421EDH-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1421EDH-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1421EDH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:355pF@25V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:290mΩ@2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1421EDH-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1421EDH-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1421EDH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:355pF@25V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:290mΩ@2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LQ-13 起订10000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LQ-13 起订10000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:401pF@25V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@1.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LQ-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LQ-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:401pF@25V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@1.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G02P06 起订10个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G02P06 起订10个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G02P06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:573pF@30V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:190mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LQ-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LQ-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:401pF@25V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@1.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LQ-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LQ-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:401pF@25V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@1.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1421EDH-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1421EDH-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1421EDH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:355pF@25V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:290mΩ@2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1421EDH-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1421EDH-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1421EDH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.3W

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:355pF@25V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:290mΩ@2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1421EDH-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1421EDH-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1421EDH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.3W

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    输入电容:355pF@25V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:290mΩ@2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LQ-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LQ-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:401pF@25V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@1.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1421EDH-T1_GE3 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1421EDH-T1_GE3 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1421EDH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:355pF@25V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:290mΩ@2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1421EDH-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1421EDH-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1421EDH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:355pF@25V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:290mΩ@2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LQ-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LQ-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:401pF@25V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@1.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LQ-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LQ-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:401pF@25V

    连续漏极电流:1.6A

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    导通电阻:220mΩ@1.6A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LQ-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LQ-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:401pF@25V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@1.6A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LQ-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LQ-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

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    输入电容:401pF@25V

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    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@1.6A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LQ-7 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LQ-7 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:401pF@25V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@1.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LQ-7 起订30000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LQ-7 起订30000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:401pF@25V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@1.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LQ-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LQ-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:401pF@25V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@1.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G02P06 起订1000个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G02P06 起订1000个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G02P06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:573pF@30V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:190mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1421EDH-T1_GE3 起订9000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1421EDH-T1_GE3 起订9000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1421EDH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:355pF@25V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:290mΩ@2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1420EEH-T1-GE3 起订13个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1420EEH-T1-GE3 起订13个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1420EEH-T1-GE3

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:4nC@4.5V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:215pF@25V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1421EDH-T1_GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1421EDH-T1_GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1421EDH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:355pF@25V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:290mΩ@2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G02P06 起订6个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G02P06 起订6个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G02P06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:573pF@30V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:190mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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