品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP4137PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:341W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5168pF@50V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:69mΩ@24A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M19-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:13.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1814pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2,"23+":342,"24+":2451}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4137PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:341W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5168pF@50V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:69mΩ@24A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C684NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP80NF10FP
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:189nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4300pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2,"23+":342,"24+":2451}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4137PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:341W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5168pF@50V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:69mΩ@24A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4137PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:341W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5168pF@50V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:69mΩ@24A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2,"23+":342,"24+":2451}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4137PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:341W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5168pF@50V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:69mΩ@24A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP80NF10FP
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:189nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4300pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M19-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1814pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C684NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M19-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1814pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C604NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€200W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8900pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP4137PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:341W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5168pF@50V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:69mΩ@24A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4137PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:341W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5168pF@50V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:69mΩ@24A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4137PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:341W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5168pF@50V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:69mΩ@24A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M19-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:13.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1814pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C604NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€200W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8900pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP80NF10FP
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:189nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4300pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C684NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C604NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€200W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8900pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4137PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:341W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5168pF@50V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:69mΩ@24A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP80NF10FP
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:189nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4300pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C684NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C604NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€200W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8900pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C684NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C604NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€200W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8900pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C684NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M19-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1814pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M19-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1814pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: