品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EW
功率:200mW
阈值电压:2.5V@1mA
连续漏极电流:340mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5.3Ω@4.5V,200mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002KHE3-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:340mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5Ω@300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:宏迦橙
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@1mA
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:340mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:10pF@10V
导通电阻:900mΩ@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:信展通
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K
功率:350mW
连续漏极电流:340mA
类型:1个N沟道
导通电阻:900mΩ@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:海德
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K
功率:350mW
阈值电压:2.5V@250μA
连续漏极电流:340mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:海德
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K
功率:350mW
阈值电压:2.5V@250μA
连续漏极电流:340mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:海德
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K
功率:350mW
阈值电压:2.5V@250μA
连续漏极电流:340mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002KHE3-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:340mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5Ω@300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EW
功率:200mW
阈值电压:2.5V@1mA
连续漏极电流:340mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5.3Ω@4.5V,200mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002KHE3-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:340mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5Ω@300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002KHE3-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:340mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5Ω@300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002KHE3-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:340mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5Ω@300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002KHE3-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:340mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5Ω@300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002KHE3-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:340mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5Ω@300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:宏迦橙
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@1mA
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:340mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:10pF@10V
导通电阻:900mΩ@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:信展通
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002
功率:350mW
连续漏极电流:340mA
类型:1个N沟道
导通电阻:900mΩ@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:信展通
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002
功率:350mW
连续漏极电流:340mA
类型:1个N沟道
导通电阻:900mΩ@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:信展通
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K
功率:350mW
连续漏极电流:340mA
类型:1个N沟道
导通电阻:900mΩ@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002KHE3-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:340mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5Ω@300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0UWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:320mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:500pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@30V
连续漏极电流:340mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2Ω@100mA,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:宏迦橙
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@1mA
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:340mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:10pF@10V
导通电阻:900mΩ@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:海德
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K
功率:350mW
阈值电压:2.5V@250μA
连续漏极电流:340mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:信展通
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002
功率:350mW
连续漏极电流:340mA
类型:1个N沟道
导通电阻:900mΩ@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:安美半导体 ANMEI SEMICONDUCTOR AM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K
功率:300mW
连续漏极电流:340mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:信展通
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K
功率:350mW
连续漏极电流:340mA
类型:1个N沟道
导通电阻:900mΩ@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:宏迦橙
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@1mA
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:340mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:10pF@10V
导通电阻:900mΩ@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:安美半导体 ANMEI SEMICONDUCTOR AM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K
功率:300mW
连续漏极电流:340mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:宏迦橙
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@1mA
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:340mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:10pF@10V
导通电阻:900mΩ@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:安美半导体 ANMEI SEMICONDUCTOR AM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K
功率:300mW
连续漏极电流:340mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:信展通
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002
功率:350mW
连续漏极电流:340mA
类型:1个N沟道
导通电阻:900mΩ@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: