品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":7050,"9999":284}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDF04N62ZG
工作温度:-55℃~150℃
功率:28W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
输入电容:535pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5908DC-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:40mΩ@4.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5908DC-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:40mΩ@4.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R950C6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:3.5V@130µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@100V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@1.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STP5NK52ZD
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:16.9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:529pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.2A,10V
漏源电压:520V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R950C6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:3.5V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@100V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@1.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3098LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:336pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:65mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3402_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:11.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:447pF@15V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:48mΩ@4.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4050SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:13.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:674pF@20V
连续漏极电流:4.4A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5908DC-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:40mΩ@4.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4961EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:85mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":71000,"15+":775,"16+":2381,"9999":494,"MI+":100}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R950C6XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:3.5V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:管件
输入电容:280pF@100V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@1.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A17KTC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.11W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:17.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:637pF@30V
连续漏极电流:4.4A
类型:P沟道
导通电阻:125mΩ@2.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":115421,"MI+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPU60R950C6AKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:3.5V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:管件
输入电容:280pF@100V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@1.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP5NK50Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:管件
输入电容:535pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":34557}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN27XPE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€8.33W
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1770pF@10V
连续漏极电流:4.4A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD5NK50ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:535pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STP5NK50ZFP
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:管件
输入电容:535pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3406_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:235pF@15V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:48mΩ@4.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP5NK50Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:管件
输入电容:535pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3098LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:336pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:65mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV28ENEAR
工作温度:-55℃~+175℃
功率:660mW€8.3W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:266pF@15V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:37mΩ@4.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2319CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:595pF@20V
连续漏极电流:4.4A
类型:P沟道
导通电阻:77mΩ@3.1A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3098LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:336pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:65mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2319CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:595pF@20V
连续漏极电流:4.4A
类型:P沟道
导通电阻:77mΩ@3.1A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDU6N25
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.1Ω@2.2A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDU6N25
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.1Ω@2.2A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5908DC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:40mΩ@4.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2377EDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€1.8W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:21nC@8V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.4A
类型:P沟道
导通电阻:61mΩ@3.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3406_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@250μA
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:235pF@15V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:48mΩ@4.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: