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    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2337ES-T1_BE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2337ES-T1_BE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2337ES-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@40V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:290mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7431DP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7431DP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7431DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:174mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7431DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7431DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7431DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:174mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD4NK100Z 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STD4NK100Z 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD4NK100Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:90W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:601pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.8Ω@1.1A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6310P 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6310P 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6310P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:337pF@10V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:125mΩ@2.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7431DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7431DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7431DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:174mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDD02N60Z-1G 起订1233个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDD02N60Z-1G 起订1233个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":25185,"12+":3000,"13+":675,"14+":326825,"15+":75,"18+":13350,"9999":75}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDD02N60Z-1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:4.5V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.1nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:274pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8Ω@1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC20PBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC20PBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBC20PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4Ω@1.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-E3 起订12个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-E3 起订12个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301BDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:375pF@6V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A01ZTA 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A01ZTA 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN3A01ZTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:970mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:186pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3440ADV-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3440ADV-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3440ADV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:80pF@75V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7818DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7818DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7818DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:135mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4P02FT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4P02FT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHD4P02FT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:155mΩ@2.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7431DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7431DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7431DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:174mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A01ZTA 起订25个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A01ZTA 起订25个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN3A01ZTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:970mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:186pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV88ENEAR 起订5个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV88ENEAR 起订5个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV88ENEAR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:615mW€7.5W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:196pF@30V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:117mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18541F5 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18541F5 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18541F5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:777pF@30V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3443T1G 起订2154个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3443T1G 起订2154个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":2741}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS3443T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:565pF@5V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@4.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3440ADV-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3440ADV-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3440ADV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:80pF@75V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-BE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-BE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301BDS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:375pF@6V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN337N 起订16个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN337N 起订16个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN337N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@2.2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7431DP-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7431DP-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7431DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:174mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4502NT1G 起订641个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4502NT1G 起订641个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":9421}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHD4502NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:640mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:140pF@15V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:85mΩ@2.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV100EPAR 起订13个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV100EPAR 起订13个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV100EPAR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:710mW€8.3W

    阈值电压:3.2V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:616pF@30V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:130mΩ@2,2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR214PBF-BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR214PBF-BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR214PBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:8.2nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:140pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@1.3A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV88ENER 起订13个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV88ENER 起订13个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV88ENER

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:615mW€7.5W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:196pF@30V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:117mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMF63UNEX 起订15个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMF63UNEX 起订15个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMF63UNEX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:395mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:5.85nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:289pF@10V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7431DP-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7431DP-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7431DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:174mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K8P15S 起订3个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K8P15S 起订3个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2K8P15S

    阈值电压:2.2V

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:277mΩ@10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2337DS-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2337DS-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2337DS-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:760mW€2.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@40V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:270mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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