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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3400_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3400_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3400_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2314CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@4.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3400_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PJA3400_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PJA3400_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PJA3400_R1_00001
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功率：1.25W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3400_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3400_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3400_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3400_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2314CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@4.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2314CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@4.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PJA3400_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2314CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@4.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3400_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3400_R1_00001
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
阈值电压：1.3V@250µA
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：5.7nC@10V
输入电容：490pF@15V
类型：N沟道
连续漏极电流：4.9A
导通电阻：38mΩ@4.9A，10V
ECCN：EAR99
功率：1.25W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3400_R1_00001
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
阈值电压：1.3V@250µA
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：5.7nC@10V
输入电容：490pF@15V
类型：N沟道
连续漏极电流：4.9A
导通电阻：38mΩ@4.9A，10V
ECCN：EAR99
功率：1.25W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2314CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@4.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2314CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@4.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3400_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3400_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3400_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3400_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2314CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@4.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3400_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3400_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3400_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2314CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@4.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
