品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6685
工作温度:-55℃~175℃
功率:52W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:24nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1715pF@15V
连续漏极电流:11A€40A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":14758,"24+":3196}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ088N03MSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€35W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@15V
连续漏极电流:11A€40A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH5406TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€46W
阈值电压:4V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1256pF@25V
连续漏极电流:11A€40A
类型:N沟道
导通电阻:14.4mΩ@24A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ120P03NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€52W
阈值电压:3.1V@73µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3360pF@15V
连续漏极电流:11A€40A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":14758,"24+":3196}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ088N03MSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
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阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@15V
连续漏极电流:11A€40A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
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库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ120P03NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
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栅极电荷:45nC@10V
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输入电容:3360pF@15V
连续漏极电流:11A€40A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ120P03NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€52W
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:3360pF@15V
连续漏极电流:11A€40A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6685
工作温度:-55℃~175℃
功率:52W
阈值电压:3V@250µA
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栅极电荷:24nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1715pF@15V
连续漏极电流:11A€40A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1826,"23+":14095}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6685
工作温度:-55℃~175℃
功率:52W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@5V
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连续漏极电流:11A€40A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6685
工作温度:-55℃~175℃
功率:52W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@5V
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类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ120P03NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€52W
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栅极电荷:45nC@10V
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类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ120P03NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€52W
阈值电压:3.1V@73µA
栅极电荷:45nC@10V
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输入电容:3360pF@15V
连续漏极电流:11A€40A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":31,"9999":6}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH5406TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€46W
阈值电压:4V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1256pF@25V
连续漏极电流:11A€40A
类型:N沟道
导通电阻:14.4mΩ@24A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":22786,"24+":9666}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ120P03NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€52W
阈值电压:3.1V@73µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
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输入电容:3360pF@15V
连续漏极电流:11A€40A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6685
工作温度:-55℃~175℃
功率:52W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@5V
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输入电容:1715pF@15V
连续漏极电流:11A€40A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6685
工作温度:-55℃~175℃
功率:52W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:24nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1715pF@15V
连续漏极电流:11A€40A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ120P03NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€52W
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连续漏极电流:11A€40A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1826,"23+":14095}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6685
工作温度:-55℃~175℃
功率:52W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@5V
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连续漏极电流:11A€40A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6685
工作温度:-55℃~175℃
功率:52W
阈值电压:3V@250µA
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类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6685
工作温度:-55℃~175℃
功率:52W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:24nC@5V
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输入电容:1715pF@15V
连续漏极电流:11A€40A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ120P03NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€52W
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类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ120P03NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€52W
阈值电压:3.1V@73µA
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连续漏极电流:11A€40A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6685
工作温度:-55℃~175℃
功率:52W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:24nC@5V
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连续漏极电流:11A€40A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6685
工作温度:-55℃~175℃
功率:52W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:24nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1715pF@15V
连续漏极电流:11A€40A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6685
工作温度:-55℃~175℃
功率:52W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:24nC@5V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:11A€40A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ120P03NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€52W
阈值电压:3.1V@73µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:11A€40A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6685
工作温度:-55℃~175℃
功率:52W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1715pF@15V
连续漏极电流:11A€40A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6685
工作温度:-55℃~175℃
功率:52W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@5V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:11A€40A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":14758,"24+":3196}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ088N03MSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€35W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
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连续漏极电流:11A€40A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ120P03NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€52W
阈值电压:3.1V@73µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3360pF@15V
连续漏极电流:11A€40A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: