采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4036LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.12W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：453pF@20V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI9Z24GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：8.5A
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@5.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4015SPSQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：47.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4234pF@20V
连续漏极电流：8.5A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3020LDT-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：670mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：393pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：20mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70R600P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：43W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：364pF@400V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.8A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4015SPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：47.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4234pF@20V
连续漏极电流：8.5A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB30XPEX
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA70R600P7SXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：25W
阈值电压：3.5V@90µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：364pF@400V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.8A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4214DDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：19.5mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4036LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.12W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：453pF@20V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：824，"22+"：84000，"23+"：67500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN70R600P7SATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：6.9W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：364pF@400V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.8A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3018SFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：697pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7403TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4214DDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：19.5mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4015SPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：47.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4234pF@20V
连续漏极电流：8.5A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF12N65M5
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：900pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：430mΩ@4.3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD600A70R
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9K134-100EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：32W
阈值电压：2.1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@25V
连续漏极电流：8.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：159mΩ@5A，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4214DDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：19.5mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：68790，"14+"：189550}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF08N50ZH
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1095pF@25V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@3.6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD600A70R
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1835pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB30XPEX
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：EPC2019
工作温度：-40℃~150℃
阈值电压：2.5V@1.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：288pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@7A，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCQ4822-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@6A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1835pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8KB6TB1
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@20V
连续漏极电流：8.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：19.4mΩ@8.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8JB5TB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2870pF@20V
连续漏极电流：8.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：15.3mΩ@8.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4404B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP32320C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
