品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF5801TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:5.5V@250µA
栅极电荷:3.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:88pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@360mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG6306P
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:114pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:420mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1302DL-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:1.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:480mΩ@600mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3139KEA-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:150mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.86nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@16V
连续漏极电流:600mA
类型:P沟道
导通电阻:850mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMH850UPEH
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:0.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:62.2pF@15V
连续漏极电流:600mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@500mA,4,5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:08+
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVNL110GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:75pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMH850UPEH
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:0.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:62.2pF@15V
连续漏极电流:600mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@500mA,4,5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD210PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:散装
输入电容:140pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@360mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1302DL-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:1.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:480mΩ@600mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY300NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STQ2LN60K3-AP
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:235pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG6308P
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:153pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDXB600UNEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:265mW
阈值电压:950mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.3pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4206A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3139KEA-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:150mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.86nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@16V
连续漏极电流:600mA
类型:P沟道
导通电阻:850mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2004K-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:550mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:600mA
类型:P沟道
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A13FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:3.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:141pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@600mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1302DL-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:1.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:480mΩ@600mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP21D6UFD-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.8nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46.1pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN3N45K3
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:164pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@600mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A13FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:3.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:141pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@600mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:08+
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVNL110GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:75pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ600UNELYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.3pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCXB900UELZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:380mW
阈值电压:950mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.3pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:N和P沟道互补型
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB600UNELYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.3pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4206A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:散装
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP21D6UFD-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.8nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46.1pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDXB600UNEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:265mW
阈值电压:950mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.3pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1302DL-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:480mΩ@600mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A13FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:141pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@600mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: