销售单位:个
规格型号(MPN):STO65N60DM6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:320W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:65.2nC@10V
输入电容:2.5nF@100V
连续漏极电流:46A
类型:1个N沟道
导通电阻:76mΩ@23A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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功率:320W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:65.2nC@10V
输入电容:2.5nF@100V
连续漏极电流:46A
类型:1个N沟道
导通电阻:76mΩ@23A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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功率:320W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:65.2nC@10V
输入电容:2.5nF@100V
连续漏极电流:46A
类型:1个N沟道
导通电阻:76mΩ@23A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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功率:320W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:65.2nC@10V
输入电容:2.5nF@100V
连续漏极电流:46A
类型:1个N沟道
导通电阻:76mΩ@23A,10V
漏源电压:600V
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品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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功率:320W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:65.2nC@10V
输入电容:2.5nF@100V
连续漏极电流:46A
类型:1个N沟道
导通电阻:76mΩ@23A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
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