品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCTW100N65G2AG
工作温度:-55℃~200℃
功率:420W
阈值电压:5V@5mA
栅极电荷:162nC@18V
包装方式:管件
输入电容:3315pF@520V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@50A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TW015N65C,S1F
工作温度:175℃
功率:342W
阈值电压:5V@11.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:128nC@18V
包装方式:管件
输入电容:4850pF@400V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@50A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCTW100N65G2AG
工作温度:-55℃~200℃
功率:420W
阈值电压:5V@5mA
栅极电荷:162nC@18V
包装方式:管件
输入电容:3315pF@520V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@50A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCTW100N65G2AG
工作温度:-55℃~200℃
功率:420W
阈值电压:5V@5mA
栅极电荷:162nC@18V
包装方式:管件
输入电容:3315pF@520V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@50A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFX100N65X2
工作温度:-55℃~150℃
功率:1040W
阈值电压:5.5V@4mA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11300pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@50A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCTW100N65G2AG
工作温度:-55℃~200℃
功率:420W
阈值电压:5V@5mA
栅极电荷:162nC@18V
包装方式:管件
输入电容:3315pF@520V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@50A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCTW100N65G2AG
工作温度:-55℃~200℃
功率:420W
阈值电压:5V@5mA
栅极电荷:162nC@18V
包装方式:管件
输入电容:3315pF@520V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@50A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TW015N65C,S1F
工作温度:175℃
功率:342W
阈值电压:5V@11.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:128nC@18V
包装方式:管件
输入电容:4850pF@400V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@50A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCTW100N65G2AG
工作温度:-55℃~200℃
功率:420W
阈值电压:5V@5mA
栅极电荷:162nC@18V
包装方式:管件
输入电容:3315pF@520V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@50A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFX100N65X2
工作温度:-55℃~150℃
功率:1040W
阈值电压:5.5V@4mA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11300pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@50A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFX100N65X2
工作温度:-55℃~150℃
功率:1040W
阈值电压:5.5V@4mA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11300pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@50A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCTW100N65G2AG
工作温度:-55℃~200℃
功率:420W
阈值电压:5V@5mA
栅极电荷:162nC@18V
包装方式:管件
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连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@50A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCTW100N65G2AG
栅极电荷:162nC@18V
导通电阻:26mΩ@50A,18V
工作温度:-55℃~200℃
功率:420W
阈值电压:5V@5mA
类型:N沟道
输入电容:3315pF@520V
漏源电压:650V
包装方式:管件
连续漏极电流:100A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCTW100N65G2AG
工作温度:-55℃~200℃
功率:420W
阈值电压:5V@5mA
栅极电荷:162nC@18V
包装方式:管件
输入电容:3315pF@520V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@50A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCTW100N65G2AG
工作温度:-55℃~200℃
功率:420W
阈值电压:5V@5mA
栅极电荷:162nC@18V
包装方式:管件
输入电容:3315pF@520V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@50A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCTW100N65G2AG
工作温度:-55℃~200℃
功率:420W
阈值电压:5V@5mA
栅极电荷:162nC@18V
包装方式:管件
输入电容:3315pF@520V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@50A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: