采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD034N06N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：4V@93µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y7R2-60E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5026pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y7R2-60E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5026pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6002LPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：130.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6555pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD034N06N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：4V@93µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN5R6-60YLX
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5026pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN5R6-60YLX
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5026pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD034N06N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：4V@93µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：21+
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y7R2-60E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：35nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5026pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD034N06N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：4V@93µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6002LPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6555pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN5R6-60YLX
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：66.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5026pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN5R6-60YLX
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：66.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5026pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6002LPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6555pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN5R6-60YLX
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5026pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1382，"22+"：2322}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD034N06N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：4V@93µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD034N06N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：4V@93µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN5R6-60YLX
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：66.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5026pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：46500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN5R6-60YLX
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5026pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y7R2-60E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5026pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN5R6-60YLX
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：66.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5026pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y7R2-60E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5026pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN5R6-60YLX
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5026pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6002LPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：130.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6555pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN5R6-60YLX
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：66.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5026pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN5R6-60YLX
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：66.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5026pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD034N06N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：4V@93µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6002LPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：130.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6555pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：21+
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y7R2-60E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：35nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5026pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6002LPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：130.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6555pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
