品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40031EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:280nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15000pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:3.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB110P06LMATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:2V@5.55mA
栅极电荷:281nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8500pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40031EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:280nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15000pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:3.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40031EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:280nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15000pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:3.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40061EL-T4_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:280nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14500pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:5.1mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40031EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:280nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15000pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:3.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40061EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:280nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14500pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:5.1mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM40061EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:280nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14500pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:5.1mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40031EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:280nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15000pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:3.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40061EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:280nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14500pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:5.1mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40061EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:280nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14500pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:5.1mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM40061EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:280nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14500pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:5.1mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40061EL-T4_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:280nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14500pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:5.1mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM40061EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:280nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14500pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:5.1mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB110P06LMATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:2V@5.55mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:281nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8500pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40061EL-T4_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:280nC@10V
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输入电容:14500pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:5.1mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB110P06LMATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:2V@5.55mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:281nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8500pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40061EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:280nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14500pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:5.1mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40031EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:280nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15000pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:3.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40031EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:280nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15000pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:3.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB110P06LMATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:2V@5.55mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:281nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8500pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40061EL-T4_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:280nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14500pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:5.1mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40031EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:280nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15000pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:3.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40061EL-T4_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:280nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14500pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:5.1mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40031EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:280nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15000pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:3.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40061EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:280nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14500pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:5.1mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40031EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:280nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15000pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:3.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB110P06LMATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:2V@5.55mA
栅极电荷:281nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8500pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40061EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:280nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14500pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:5.1mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB110P06LMATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:2V@5.55mA
栅极电荷:281nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8500pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: