采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF2N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：95pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：95pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：95pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：95pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP2N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：95pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K337R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.7V@1mA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@2A，10V
漏源电压：38V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3H137TU，LF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.7V@1mA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：119pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@1A，10V
漏源电压：34V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL2N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：95pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.9Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP2N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：95pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：95pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K337R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.7V@1mA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@2A，10V
漏源电压：38V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K337R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.7V@1mA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@2A，10V
漏源电压：38V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K337R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.7V@1mA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@2A，10V
漏源电压：38V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K337R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.7V@1mA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@2A，10V
漏源电压：38V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K337R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.7V@1mA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@2A，10V
漏源电压：38V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：95pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3H137TU，LF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.7V@1mA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：119pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@1A，10V
漏源电压：34V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL2N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：95pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.9Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF2N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：95pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP2N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：95pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL2N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：95pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.9Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3H137TU，LF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.7V@1mA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：119pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@1A，10V
漏源电压：34V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3H137TU，LF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.7V@1mA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：119pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@1A，10V
漏源电压：34V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：95pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3H137TU，LF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.7V@1mA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：119pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@1A，10V
漏源电压：34V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K337R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.7V@1mA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@2A，10V
漏源电压：38V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K337R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.7V@1mA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@2A，10V
漏源电压：38V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL2N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：95pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.9Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K337R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.7V@1mA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@2A，10V
漏源电压：38V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP2N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：95pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
