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    行业应用: 汽车
    连续漏极电流: 850mA
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    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH103,235 起订16个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH103,235 起订16个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH103,235

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:540mW

    阈值电压:400mV@1mA

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:83pF@24V

    连续漏极电流:850mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 GSFW02009 起订12个装
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 GSFW02009 起订12个装

    品牌:GOOD-ARK

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GSFW02009

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:690mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:58pF@10V

    连续漏极电流:850mA

    类型:P沟道

    导通电阻:640mΩ@550mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1539EH-T1_GE3 起订7个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1539EH-T1_GE3 起订7个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1539EH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:48pF@15V€50pF@15V

    连续漏极电流:850mA

    类型:N和P沟道

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UVQ-7 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UVQ-7 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2900UVQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:49pF@16V

    连续漏极电流:850mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1922AEEH-T1_GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1922AEEH-T1_GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1922AEEH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60pF@10V

    连续漏极电流:850mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:300mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1922AEEH-T1_GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1922AEEH-T1_GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1922AEEH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60pF@10V

    连续漏极电流:850mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:300mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1539EH-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1539EH-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1539EH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.6V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:48pF@15V€50pF@15V

    连续漏极电流:850mA

    类型:N和P沟道

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1563AEH-T1_GE3 起订7个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1563AEH-T1_GE3 起订7个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1563AEH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:89pF@10V€84pF@10V

    连续漏极电流:850mA

    类型:N和P沟道

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UVQ-7 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UVQ-7 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2900UVQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:49pF@16V

    连续漏极电流:850mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH103,215 起订29个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH103,215 起订29个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH103,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:540mW

    阈值电压:400mV@1mA

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:83pF@24V

    连续漏极电流:850mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UV-7 起订26个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UV-7 起订26个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2900UV-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:700pC@4.5V

    输入电容:49pF@16V

    连续漏极电流:850mA

    类型:2个P沟道

    导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH103,215 起订747个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH103,215 起订747个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH103,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:540mW

    阈值电压:400mV@1mA

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:83pF@24V

    连续漏极电流:850mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 GSFW02009 起订10000个装
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 GSFW02009 起订10000个装

    品牌:GOOD-ARK

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GSFW02009

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:690mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:58pF@10V

    连续漏极电流:850mA

    类型:P沟道

    导通电阻:640mΩ@550mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH103,215 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH103,215 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH103,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:540mW

    阈值电压:400mV@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:83pF@24V

    连续漏极电流:850mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1563AEH-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1563AEH-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1563AEH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:89pF@10V€84pF@10V

    连续漏极电流:850mA

    类型:N和P沟道

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1563AEH-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1563AEH-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1563AEH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:89pF@10V€84pF@10V

    连续漏极电流:850mA

    类型:N和P沟道

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1922AEEH-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1922AEEH-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1922AEEH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60pF@10V

    连续漏极电流:850mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:300mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1539EH-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1539EH-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1539EH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:48pF@15V€50pF@15V

    连续漏极电流:850mA

    类型:N和P沟道

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT4N20LTF 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT4N20LTF 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT4N20LTF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:5.2nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:310pF@25V

    连续漏极电流:850mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.35Ω@425mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UVQ-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UVQ-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2900UVQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:49pF@16V

    连续漏极电流:850mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH103,215 起订9000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH103,215 起订9000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH103,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:540mW

    阈值电压:400mV@1mA

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:83pF@24V

    连续漏极电流:850mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1539EH-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1539EH-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1539EH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:48pF@15V€50pF@15V

    连续漏极电流:850mA

    类型:N和P沟道

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH103,235 起订5000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH103,235 起订5000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH103,235

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:540mW

    阈值电压:400mV@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:83pF@24V

    连续漏极电流:850mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1563AEH-T1_GE3 起订250个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1563AEH-T1_GE3 起订250个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1563AEH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:89pF@10V€84pF@10V

    连续漏极电流:850mA

    类型:N和P沟道

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 GSFW02009 起订100个装
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 GSFW02009 起订100个装

    品牌:GOOD-ARK

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GSFW02009

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:690mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:58pF@10V

    连续漏极电流:850mA

    类型:P沟道

    导通电阻:640mΩ@550mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1539EH-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1539EH-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1539EH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:48pF@15V€50pF@15V

    连续漏极电流:850mA

    类型:N和P沟道

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1539EH-T1_GE3 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1539EH-T1_GE3 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1539EH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:48pF@15V€50pF@15V

    连续漏极电流:850mA

    类型:N和P沟道

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH103,235 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH103,235 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH103,235

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:540mW

    阈值电压:400mV@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:83pF@24V

    连续漏极电流:850mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UVQ-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UVQ-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2900UVQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:49pF@16V

    连续漏极电流:850mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT4N20LTF 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT4N20LTF 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT4N20LTF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:5.2nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:310pF@25V

    连续漏极电流:850mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.35Ω@425mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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