采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18514Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2680pF@20V
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN7R0-60YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：117W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2712pF@30V
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2005UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4670pF@10V
连续漏极电流：89A
类型：P沟道
导通电阻：4mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18514Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2680pF@20V
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：240psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMYH200R024M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：576W
阈值电压：5.5V@24mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：137nC@18V
包装方式：管件
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@40A，18V
漏源电压：2000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL3705NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€170W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：98nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@46A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL3705NPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：98nC@5V
包装方式：管件
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@46A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18514Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2683pF@20V
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：240psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMYH200R024M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：576W
阈值电压：5.5V@24mA
栅极电荷：137nC@18V
包装方式：管件
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@40A，18V
漏源电压：2000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18514Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2683pF@20V
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7Y9R9-80EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：195W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：498pF@25V
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：98mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN7R0-60YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：117W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2712pF@30V
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7Y9R9-80EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：195W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：498pF@25V
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：98mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：3000，"23+"：3000，"9999"：236，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN9R5-100PS，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4454pF@50V
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL3705NPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：98nC@5V
包装方式：管件
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@46A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：3000，"23+"：3000，"9999"：236，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN9R5-100PS，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4454pF@50V
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2005UFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4670pF@10V
连续漏极电流：89A
类型：P沟道
导通电阻：4mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN7R0-60YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：117W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2712pF@30V
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：3000，"23+"：3000，"9999"：236，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN9R5-100PS，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4454pF@50V
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN7R0-60YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：117W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2712pF@30V
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2005UFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4670pF@10V
连续漏极电流：89A
类型：P沟道
导通电阻：4mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT180P08M
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：89A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18514Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2680pF@20V
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2005UFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4670pF@10V
连续漏极电流：89A
类型：P沟道
导通电阻：4mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL3705NPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：98nC@5V
包装方式：管件
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@46A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN7R0-60YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：117W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2712pF@30V
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18514Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2683pF@20V
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18514Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2683pF@20V
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2005UFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4670pF@10V
连续漏极电流：89A
类型：P沟道
导通电阻：4mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN9R5-100BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4454pF@50V
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
