采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ454EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：145mΩ@7.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R220M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：5.7V@1.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.4nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：312pF@800V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：294mΩ@4A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：55，"06+"：1394，"07+"：5579，"08+"：632817，"11+"：2190，"14+"：5000，"16+"：4400，"17+"：900，"MI+"：20000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6294
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@5V
输入电容：1205pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6294
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@5V
输入电容：1205pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R220M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：5.7V@1.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.4nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：312pF@800V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：294mΩ@4A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD78CN10NGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：31W
阈值电压：4V@12µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：716pF@50V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R220M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：5.7V@1.6mA
栅极电荷：9.4nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：312pF@800V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：294mΩ@4A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R220M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：5.7V@1.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@18V
包装方式：管件
输入电容：289pF@800V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：286mΩ@4A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R220M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：5.7V@1.6mA
栅极电荷：9.4nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：312pF@800V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：294mΩ@4A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ454EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：145mΩ@7.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R220M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：5.7V@1.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.4nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：312pF@800V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：294mΩ@4A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ454EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：145mΩ@7.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：58，"21+"：50}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZ120R220M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：5.7V@1.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@18V
包装方式：管件
输入电容：289pF@800V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@4A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R220M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：5.7V@1.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.4nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：312pF@800V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：294mΩ@4A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R220M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：5.7V@1.6mA
栅极电荷：9.4nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：312pF@800V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：294mΩ@4A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R220M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：5.7V@1.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.4nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：312pF@800V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：294mΩ@4A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ454EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：145mΩ@7.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD78CN10NGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：31W
阈值电压：4V@12µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：716pF@50V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZ120R220M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：5.7V@1.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@18V
包装方式：管件
输入电容：289pF@800V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@4A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：12000，"21+"：4340，"MI+"：960}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R220M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：5.7V@1.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@18V
包装方式：管件
输入电容：289pF@800V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：286mΩ@4A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD78CN10NGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：31W
阈值电压：4V@12µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：716pF@50V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：12000，"21+"：4340，"MI+"：960}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R220M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：5.7V@1.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@18V
包装方式：管件
输入电容：289pF@800V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：286mΩ@4A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
