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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R800CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：74W
阈值电压：3.5V@170µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：373pF@100V
连续漏极电流：8.4A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：8300，"13+"：572，"9999"：67}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF08N60ZH
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：4.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1370pF@25V
连续漏极电流：8.4A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：8300，"13+"：572，"9999"：67}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF08N60ZH
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1370pF@25V
连续漏极电流：8.4A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB186N60EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：5V
栅极电荷：32nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：8.4A
类型：MOSFET
导通电阻：168mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：1116，"11+"：50，"13+"：200，"14+"：26550，"16+"：200，"MI+"：27550}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF08N60ZG
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：4.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1140pF@25V
连续漏极电流：8.4A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：7500，"19+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPS60R800CEAKMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：74W
阈值电压：3.5V@170µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：373pF@100V
连续漏极电流：8.4A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：8300，"13+"：572，"9999"：67}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF08N60ZH
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：4.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1370pF@25V
连续漏极电流：8.4A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：7500，"19+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPS60R800CEAKMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：74W
阈值电压：3.5V@170µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：373pF@100V
连续漏极电流：8.4A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R800CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：74W
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ECCN：EAR99
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输入电容：373pF@100V
连续漏极电流：8.4A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：1116，"11+"：50，"13+"：200，"14+"：26550，"16+"：200，"MI+"：27550}
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销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF08N60ZG
工作温度：-55℃~150℃
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连续漏极电流：8.4A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：1116，"11+"：50，"13+"：200，"14+"：26550，"16+"：200，"MI+"：27550}
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销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF08N60ZG
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
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栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1140pF@25V
连续漏极电流：8.4A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R800CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：74W
阈值电压：3.5V@170µA
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栅极电荷：17.2nC@10V
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输入电容：373pF@100V
连续漏极电流：8.4A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R800CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：74W
阈值电压：3.5V@170µA
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栅极电荷：17.2nC@10V
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连续漏极电流：8.4A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R800CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：74W
阈值电压：3.5V@170µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：373pF@100V
连续漏极电流：8.4A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB186N60EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：5V
栅极电荷：32nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：8.4A
类型：MOSFET
导通电阻：168mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF08N60ZH
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：4.5V@100µA
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包装方式：管件
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连续漏极电流：8.4A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB186N60EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：5V
栅极电荷：32nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：8.4A
类型：MOSFET
导通电阻：168mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB186N60EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：5V
栅极电荷：32nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：8.4A
类型：MOSFET
导通电阻：168mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R800CEAUMA1
包装方式：卷带（TR）
输入电容：373pF@100V
类型：N沟道
栅极电荷：17.2nC@10V
连续漏极电流：8.4A
漏源电压：600V
工作温度：-40℃~150℃
阈值电压：3.5V@170µA
功率：74W
ECCN：EAR99
导通电阻：800mΩ@2A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R800CEAUMA1
包装方式：卷带（TR）
输入电容：373pF@100V
类型：N沟道
栅极电荷：17.2nC@10V
连续漏极电流：8.4A
漏源电压：600V
工作温度：-40℃~150℃
阈值电压：3.5V@170µA
功率：74W
ECCN：EAR99
导通电阻：800mΩ@2A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"18+"：7500，"19+"：7500}
规格型号(MPN)：IPS60R800CEAKMA1
输入电容：373pF@100V
类型：N沟道
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：8.4A
漏源电压：600V
工作温度：-40℃~150℃
阈值电压：3.5V@170µA
功率：74W
ECCN：EAR99
导通电阻：800mΩ@2A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF08N60ZG
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：4.5V@100µA
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包装方式：管件
输入电容：1140pF@25V
连续漏极电流：8.4A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF08N60ZG
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1140pF@25V
连续漏极电流：8.4A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：7500，"19+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPS60R800CEAKMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：74W
阈值电压：3.5V@170µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：373pF@100V
连续漏极电流：8.4A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF08N60ZG
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1140pF@25V
连续漏极电流：8.4A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R800CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：74W
阈值电压：3.5V@170µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：373pF@100V
连续漏极电流：8.4A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R800CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：74W
阈值电压：3.5V@170µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：373pF@100V
连续漏极电流：8.4A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R800CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：74W
阈值电压：3.5V@170µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：373pF@100V
连续漏极电流：8.4A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R800CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：74W
阈值电压：3.5V@170µA
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：373pF@100V
连续漏极电流：8.4A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB186N60EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：5V
栅极电荷：32nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：8.4A
类型：MOSFET
导通电阻：168mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
