品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":97}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R037CSFDXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:245W
阈值电压:4.5V@1.63mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5623pF@400V
连续漏极电流:54A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@32.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN7R006PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:630mW€75W
阈值电压:2.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1875pF@30V
连续漏极电流:54A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@27A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":12150}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L040N120M3S
工作温度:-55℃~175℃
功率:231W
阈值电压:4.4V@10mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@800V
连续漏极电流:54A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@20A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M12-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:2.1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2769pF@25V
连续漏极电流:54A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R037CSFD
功率:245W
阈值电压:4.5V@1.63mA
连续漏极电流:54A
类型:1个N沟道
导通电阻:37mΩ@10V,32.6A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD64N4F6AG
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2415pF@25V
连续漏极电流:54A
类型:N沟道
导通电阻:8.2mΩ@27A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVH4L040N120M3S
工作温度:-55℃~175℃
功率:231W
阈值电压:4.4V@10mA
栅极电荷:75nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@800V
连续漏极电流:54A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@20A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R037CSFD
功率:245W
阈值电压:4.5V@1.63mA
连续漏极电流:54A
类型:1个N沟道
导通电阻:37mΩ@10V,32.6A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R037CSFDXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:245W
阈值电压:4.5V@1.63mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5623pF@400V
连续漏极电流:54A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@32.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R037CSFDXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:245W
阈值电压:4.5V@1.63mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5623pF@400V
连续漏极电流:54A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@32.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":12150}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L040N120M3S
工作温度:-55℃~175℃
功率:231W
阈值电压:4.4V@10mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@800V
连续漏极电流:54A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@20A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R037CSFDXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:245W
阈值电压:4.5V@1.63mA
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5623pF@400V
连续漏极电流:54A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@32.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":12150}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L040N120M3S
工作温度:-55℃~175℃
功率:231W
阈值电压:4.4V@10mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@800V
连续漏极电流:54A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@20A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":13937}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP16CN10LGXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:2.4V@61µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4190pF@50V
连续漏极电流:54A
类型:N沟道
导通电阻:15.7mΩ@54A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN7R006PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:630mW€75W
阈值电压:2.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1875pF@30V
连续漏极电流:54A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@27A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTR102N65X2
工作温度:-55℃~150℃
功率:330W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10900pF@25V
连续漏极电流:54A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@51A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":289}
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG65R039M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:5.7V@7.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1393pF@400V
连续漏极电流:54A
类型:N沟道
导通电阻:51mΩ@25A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":12150}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L040N120M3S
工作温度:-55℃~175℃
功率:231W
阈值电压:4.4V@10mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@800V
连续漏极电流:54A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@20A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M12-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2769pF@25V
连续漏极电流:54A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1991,"19+":15300,"22+":1018,"MI+":3150}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH077N65F-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:481W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:164nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7162pF@25V
连续漏极电流:54A
类型:N沟道
导通电阻:77mΩ@27A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M12-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:2.1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2769pF@25V
连续漏极电流:54A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M12-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2769pF@25V
连续漏极电流:54A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1991,"19+":15300,"22+":1018,"MI+":3150}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH077N65F-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:481W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:164nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7162pF@25V
连续漏极电流:54A
类型:N沟道
导通电阻:77mΩ@27A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD64N4F6AG
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2415pF@25V
连续漏极电流:54A
类型:N沟道
导通电阻:8.2mΩ@27A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M10-30EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1249pF@25V
连续漏极电流:54A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVH4L040N120M3S
工作温度:-55℃~175℃
功率:231W
阈值电压:4.4V@10mA
栅极电荷:75nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@800V
连续漏极电流:54A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@20A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS015N10MCLT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:79W
阈值电压:1.5V@77μA
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.338nF@50V
连续漏极电流:54A
类型:1个N沟道
反向传输电容:9pF@50V
导通电阻:9.7mΩ@10V,14A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVH4L040N120M3S
工作温度:-55℃~175℃
功率:231W
阈值电压:4.4V@10mA
栅极电荷:75nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@800V
连续漏极电流:54A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@20A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UnitedSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UF3C065040K3S
工作温度:-55℃~175℃
功率:326W
阈值电压:6V@10mA
栅极电荷:51nC@15V
输入电容:1500pF@100V
连续漏极电流:54A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@40A,12V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L040N120M3S
工作温度:-55℃~175℃
功率:231W
阈值电压:4.4V@10mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@800V
连续漏极电流:54A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@20A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: