采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6U24TR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：1.7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：90pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：400mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6K1TR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：77pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：238mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB320UPEYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW€6.25W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：122pF@15V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：510mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6U24TR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：1.7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：90pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：400mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6K1FRATR
工作温度：150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：77pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：238mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3190LDWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：2.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@20V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：190mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB320UPEYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW€6.25W
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：122pF@15V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：510mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1613
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6K1TR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：77pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：238mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3190LDWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：2.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@20V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：190mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3190LDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：2.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@20V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：190mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3190LDW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：2.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@20V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：190mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6K1FRATR
工作温度：150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：77pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：238mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6K1TR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：77pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：238mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3190LDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：2.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@20V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：190mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6K1TR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：77pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：238mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3190LDWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：2.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@20V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：190mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6K1TR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：77pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：238mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMF250XNEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：342mW
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：1.65nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：81pF@15V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：254mΩ@900mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB320UPEYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW€6.25W
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：122pF@15V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：510mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3190LDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：2.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@20V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：190mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB320UPEYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW€6.25W
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：122pF@15V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：510mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH103BKR
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW€2.1W
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：79.3pF@15V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：270mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB320UPEYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW€6.25W
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：122pF@15V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：510mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3190LDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：2.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@20V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：190mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZ320UPEYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW€6.25W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：122pF@15V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：510mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3190LDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@20V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：190mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6K1TR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：77pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：238mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMF250XNEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：342mW
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：1.65nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：81pF@15V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：254mΩ@900mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6K1FRATR
工作温度：150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：77pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：238mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3190LDW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@20V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：190mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
