品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB6413ANT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@42A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF1310NSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€160W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@22A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR3110ZTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3980pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@38A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ488EP-T2_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:978pF@50V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@7.1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR3710ZTRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2930pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@33A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB6413ANT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@42A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR3710ZTRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2930pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@33A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR3110ZTRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:2.5V@100µA
栅极电荷:48nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3980pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@38A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR3110ZTRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3980pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@38A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN028-100YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:89W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1634pF@50V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:27.5mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR3110ZTRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:2.5V@100µA
栅极电荷:48nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3980pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@38A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ488EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:978pF@50V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@7.1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ488EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:979pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@7.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF1310NSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€160W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@22A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ488EP-T2_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:978pF@50V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@7.1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR3710ZTRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2930pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@33A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR3110ZTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3980pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@38A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR3110ZTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3980pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@38A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ488EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:978pF@50V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@7.1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ488EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:978pF@50V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@7.1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR3710ZTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2930pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@33A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ488EP-T2_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:978pF@50V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@7.1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR3110ZTRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:2.5V@100µA
栅极电荷:48nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3980pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@38A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR3110ZTRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:2.5V@100µA
栅极电荷:48nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3980pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@38A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR3110ZTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3980pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@38A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR3110ZTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3980pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@38A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ488EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:979pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@7.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ488EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:979pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@7.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR3710ZTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2930pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@33A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ488EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:979pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@7.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: