品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J35CT,L3F(T
功率:100mW
阈值电压:1V@1mA
连续漏极电流:100mA
类型:1个P沟道
导通电阻:8Ω@4V,50mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":15000}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ463A-T1-AT
阈值电压:1.7V@10μA
ECCN:EAR99
输入电容:5nF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:1个P沟道
导通电阻:13Ω@10mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J35CT,L3F(T
功率:100mW
阈值电压:1V@1mA
连续漏极电流:100mA
类型:1个P沟道
导通电阻:8Ω@4V,50mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":15000}
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规格型号(MPN):2SJ463A-T1-AT
阈值电压:1.7V@10μA
ECCN:EAR99
输入电容:5nF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:1个P沟道
导通电阻:13Ω@10mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J35CT,L3F(T
功率:100mW
阈值电压:1V@1mA
连续漏极电流:100mA
类型:1个P沟道
导通电阻:8Ω@4V,50mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":15000}
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规格型号(MPN):2SJ463A-T1-AT
阈值电压:1.7V@10μA
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连续漏极电流:100mA
类型:1个P沟道
导通电阻:13Ω@10mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J35CT,L3F(T
功率:100mW
阈值电压:1V@1mA
连续漏极电流:100mA
类型:1个P沟道
导通电阻:8Ω@4V,50mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J35CT,L3F(T
功率:100mW
阈值电压:1V@1mA
连续漏极电流:100mA
类型:1个P沟道
导通电阻:8Ω@4V,50mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":1622}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ243-T1-A
阈值电压:2.3V@10μA
ECCN:EAR99
输入电容:16pF@5V
连续漏极电流:100mA
类型:1个P沟道
导通电阻:25Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J35CT,L3F(T
功率:100mW
阈值电压:1V@1mA
连续漏极电流:100mA
类型:1个P沟道
导通电阻:8Ω@4V,50mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J35CT,L3F(T
功率:100mW
阈值电压:1V@1mA
连续漏极电流:100mA
类型:1个P沟道
导通电阻:8Ω@4V,50mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J35CT,L3F(T
功率:100mW
阈值电压:1V@1mA
连续漏极电流:100mA
类型:1个P沟道
导通电阻:8Ω@4V,50mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J35CT,L3F(T
功率:100mW
阈值电压:1V@1mA
连续漏极电流:100mA
类型:1个P沟道
导通电阻:8Ω@4V,50mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J35CT,L3F(T
功率:100mW
阈值电压:1V@1mA
连续漏极电流:100mA
类型:1个P沟道
导通电阻:8Ω@4V,50mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":1622}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ243-T1-A
阈值电压:2.3V@10μA
ECCN:EAR99
输入电容:16pF@5V
连续漏极电流:100mA
类型:1个P沟道
导通电阻:25Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J35CT,L3F(T
阈值电压:1V@1mA
导通电阻:8Ω@4V,50mA
漏源电压:20V
功率:100mW
连续漏极电流:100mA
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ243-T1-A
阈值电压:2.3V@10μA
输入电容:16pF@5V
连续漏极电流:100mA
类型:1个P沟道
导通电阻:25Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ463A-T1-AT
阈值电压:1.7V@10μA
ECCN:EAR99
输入电容:5nF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:1个P沟道
导通电阻:13Ω@10mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J35CT,L3F(T
功率:100mW
阈值电压:1V@1mA
连续漏极电流:100mA
类型:1个P沟道
导通电阻:8Ω@4V,50mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RE1C001ZPTL
功率:150mW
阈值电压:1V@100μA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15pF@10V
连续漏极电流:100mA
类型:1个P沟道
反向传输电容:1.5pF@10V
导通电阻:2.5Ω@4.5V,100mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: