品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW36NM60ND
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:80.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2785pF@50V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR632DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@7.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@75V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:34.5mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR632DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@7.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@75V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:34.5mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP28N65E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3405pF@100V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:112mΩ@14A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB30N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@100V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4184EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:7.1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5400pF@20V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT60R080G7XTMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:167W
阈值电压:4V@490µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1640pF@400V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@9.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD350N06LGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2V@28µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@30V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@29A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG30N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@100V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPDD60R080G7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:174W
阈值电压:4V@490µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1640pF@400V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@9.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW36NM60ND
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:80.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2785pF@50V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DKI04103
工作温度:150℃
功率:32W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:990pF@25V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@18.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB30N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@100V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ34NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@16A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:1928
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4459ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@15V
连续漏极电流:29A
类型:P沟道
导通电阻:5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW34NM60N
工作温度:150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2722pF@100V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4459ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@15V
连续漏极电流:29A
类型:P沟道
导通电阻:5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ34NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@16A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT3080AW7TL
工作温度:175℃
功率:125W
阈值电压:5.6V@5mA
栅极电荷:48nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:571pF@500V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:104mΩ@10A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR632DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@7.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@75V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:34.5mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN030-60YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:56W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:686pF@30V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:24.7mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP34NM60ND
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:80.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2785pF@50V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR632DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@7.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@75V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:34.5mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ34NSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€68W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@16A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD350N06LGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2V@28µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@30V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@29A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":2830}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN030-60YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:56W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:686pF@30V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:24.7mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT3080AW7TL
工作温度:175℃
功率:125W
阈值电压:5.6V@5mA
栅极电荷:48nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:571pF@500V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:104mΩ@10A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4459ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@15V
连续漏极电流:29A
类型:P沟道
导通电阻:5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L080N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4.3V@5mA
栅极电荷:56nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1670pF@800V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@20A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW34NM60N
工作温度:150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2722pF@100V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: