采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIB7N50APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1423pF@25V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：520mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3026LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：643pF@15V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN50R950CEATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3.5V@100µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：231pF@100V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@1.2A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：196，"20+"：500}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPA07N60CFDXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：管件
输入电容：790pF@25V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@4.6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3026LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：643pF@15V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：19700，"17+"：2100，"9999"：375}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD60N745U1-35G
工作温度：-55℃~150℃
功率：84W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：440pF@50V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：745mΩ@3.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：10497，"16+"：68}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD60N745U1T4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：84W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@50V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：745mΩ@3.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3026LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：643pF@15V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIB7N50APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1423pF@25V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：520mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN50R950CEATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3.5V@100µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：231pF@100V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@1.2A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：19700，"17+"：2100，"9999"：375}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD60N745U1-35G
工作温度：-55℃~150℃
功率：84W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：440pF@50V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：745mΩ@3.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIB7N50APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1423pF@25V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：520mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN50R950CEATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3.5V@100µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：231pF@100V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@1.2A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3026LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：643pF@15V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"24+"：4000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF7N80C
工作温度：-55℃~150℃
功率：56W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：1.9Ω@3.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：10497，"16+"：68}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD60N745U1T4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：84W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@50V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：745mΩ@3.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：2711}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPW07N60CFDFKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：管件
输入电容：790pF@25V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@4.6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：2711}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPW07N60CFDFKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：管件
输入电容：790pF@25V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@4.6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD60N745U1T4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：84W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@50V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：745mΩ@3.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF7N80C
工作温度：-55℃~150℃
功率：56W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：1.9Ω@3.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIB7N50APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1423pF@25V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：520mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN50R950CEATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3.5V@100µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：231pF@100V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@1.2A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIB7N50APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1423pF@25V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：520mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIB7N50APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1423pF@25V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：520mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：19700，"17+"：2100，"9999"：375}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD60N745U1-35G
工作温度：-55℃~150℃
功率：84W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：440pF@50V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：745mΩ@3.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF7N80C
工作温度：-55℃~150℃
功率：56W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：1.9Ω@3.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"24+"：4000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF7N80C
工作温度：-55℃~150℃
功率：56W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：1.9Ω@3.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：10497，"16+"：68}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD60N745U1T4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：84W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@50V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：745mΩ@3.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3026LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：643pF@15V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIB7N50APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1423pF@25V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：520mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
