采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4056DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：29.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@50V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：2586，"14+"：1694}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4802NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：910mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@25V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4056DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@50V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK11A65W，S5X(M
功率：35W
阈值电压：3.5V@450μA
连续漏极电流：11.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：390mΩ@10V，5.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2021UFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：59nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2760pF@15V
连续漏极电流：11.1A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4056DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@50V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4056DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：29.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@50V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4056DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：29.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@50V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4056DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：29.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@50V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4056DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@50V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4056DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：29.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@50V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2021UFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：59nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2760pF@15V
连续漏极电流：11.1A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4056DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@50V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2021UFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：59nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2760pF@15V
连续漏极电流：11.1A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2021UFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：59nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2760pF@15V
连续漏极电流：11.1A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK11A65W，S5X(M
功率：35W
阈值电压：3.5V@450μA
连续漏极电流：11.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：390mΩ@10V，5.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4056DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：29.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@50V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4056DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：29.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@50V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：2586，"14+"：1694}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4802NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：910mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@25V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4056DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@50V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2021UFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：59nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2760pF@15V
连续漏极电流：11.1A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPAN50R500CEXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：28W
阈值电压：3.5V@200µA
栅极电荷：18.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：433pF@100V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：500mΩ@2.3A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPAN50R500CEXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：28W
阈值电压：3.5V@200µA
栅极电荷：18.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：433pF@100V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：500mΩ@2.3A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4056DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@50V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4056DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@50V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2021UFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：59nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2760pF@15V
连续漏极电流：11.1A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPAN50R500CEXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：28W
阈值电压：3.5V@200µA
栅极电荷：18.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：433pF@100V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：500mΩ@2.3A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4056DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：29.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@50V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4056DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@50V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPAN50R500CEXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：28W
阈值电压：3.5V@200µA
栅极电荷：18.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：433pF@100V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：500mΩ@2.3A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
