品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS840CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1031pF@20V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@7.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD26P3LLH6
工作温度:175℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7386DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4850EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:6.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@6A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7121ADN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.5W€27.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1870pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4850EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:6.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@6A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7386DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7386DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS412DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€15.6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:435pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@7.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7121ADN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.5W€27.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1870pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5419DU-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€31W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@6.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS412DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€15.6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:435pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@7.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS412DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€15.6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:435pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@7.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4850EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:6.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@6A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7121ADN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.5W€27.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1870pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5419DU-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€31W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@6.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7386DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS840CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1031pF@20V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@7.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS412DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€15.6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:435pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@7.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7121ADN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.5W€27.8W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1870pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS412DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€15.6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:435pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@7.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS412DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€15.6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:435pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@7.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS412DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€15.6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:435pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@7.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS412DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€15.6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:435pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@7.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7121ADN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.5W€27.8W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1870pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4850EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:6.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@6A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4850EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:6.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@6A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS412DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€15.6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:435pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@7.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS412DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€15.6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:435pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@7.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5419DU-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€31W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@6.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: