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    连续漏极电流
    12A
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    功率
    行业应用: 汽车
    连续漏极电流: 12A
    工作温度: -55℃~150℃
    类型: N沟道
    漏源电压: 100V
    当前匹配商品:60+
    商品信息
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    操作
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF680N10T
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF680N10T

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF680N10T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:24W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1000pF@50V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:68mΩ@6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:534
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SK3-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SK3-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H170SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1167pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    AOS Mosfet场效应管 AOSP66923
    AOS Mosfet场效应管 AOSP66923

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSP66923

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.6V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1725pF@50V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    AOS Mosfet场效应管 AOSP66923
    AOS Mosfet场效应管 AOSP66923

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSP66923

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1725pF@50V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SK3-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SK3-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H170SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1167pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7500
    AOS Mosfet场效应管 AOSP66923
    AOS Mosfet场效应管 AOSP66923

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSP66923

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1725pF@50V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    AOS Mosfet场效应管 AOSP66923
    AOS Mosfet场效应管 AOSP66923

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSP66923

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1725pF@50V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    MCC Mosfet场效应管 MCQ12N10Y-TP
    MCC Mosfet场效应管 MCQ12N10Y-TP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCQ12N10Y-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1135pF@50V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SK3-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SK3-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H170SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1167pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SK3Q-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SK3Q-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H170SK3Q-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:9.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1167pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SK3Q-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SK3Q-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H170SK3Q-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:9.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1167pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SK3Q-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SK3Q-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H170SK3Q-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:9.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1167pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    AOS Mosfet场效应管 AOSP66923
    AOS Mosfet场效应管 AOSP66923

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSP66923

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1725pF@50V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 RFP12N10L 起订3个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 RFP12N10L 起订3个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFP12N10L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:60W

    阈值电压:2V@250µA

    输入电容:900pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@12A,5V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SK3-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SK3-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H170SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:9.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1167pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 RFP12N10L 起订50个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 RFP12N10L 起订50个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFP12N10L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:60W

    阈值电压:2V@250µA

    输入电容:900pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@12A,5V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SK3-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SK3-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H170SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1167pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 RFP12N10L
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 RFP12N10L

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFP12N10L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:60W

    阈值电压:2V@250µA

    输入电容:900pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@12A,5V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    加购:50
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SK3-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SK3-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H170SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1167pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 RFP12N10L
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 RFP12N10L

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFP12N10L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:60W

    阈值电压:2V@250µA

    输入电容:900pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@12A,5V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    加购:50
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SK3-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SK3-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H170SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1167pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    AOS Mosfet场效应管 AOSP66923
    AOS Mosfet场效应管 AOSP66923

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSP66923

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.6V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1725pF@50V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SK3-13 起订13个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SK3-13 起订13个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H170SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:9.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1167pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SK3Q-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SK3Q-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H170SK3Q-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:9.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1167pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SK3-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SK3-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H170SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:9.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1167pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 RFP12N10L
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 RFP12N10L

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFP12N10L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:60W

    阈值电压:2V@250µA

    输入电容:900pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@12A,5V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF680N10T
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF680N10T

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF680N10T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:24W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1000pF@50V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:68mΩ@6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    AOS Mosfet场效应管 AOSP66923
    AOS Mosfet场效应管 AOSP66923

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSP66923

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1725pF@50V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    MCC Mosfet场效应管 MCQ12N10Y-TP
    MCC Mosfet场效应管 MCQ12N10Y-TP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCQ12N10Y-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1135pF@50V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    AOS Mosfet场效应管 AOSP66923
    AOS Mosfet场效应管 AOSP66923

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSP66923

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1725pF@50V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:10
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