采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD35N12S3L24ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.4V@39µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@35A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS415DNT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5460pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS415DNT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5460pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR540ZTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：4V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@21A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P03BBHTL1
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@50V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0065090J-TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：113W
阈值电压：3.5V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@600V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@20A，15V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7615CDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：63nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3860pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：9mΩ@12A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17577Q3AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€53W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2310pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC350N20NSFDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2410pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@35A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG080N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2557pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17577Q3AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€53W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2310pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17577Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€53W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2310pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB4615PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：144W
阈值电压：5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1750pF@50V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@21A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRFR540ZTRL
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：4V@50µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@21A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：CREE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0065100K
工作温度：-55℃~150℃
功率：113.5W
阈值电压：3.5V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@15V
包装方式：管件
输入电容：660pF@600V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@20A，15V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD35N12S3L24ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.4V@39µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@35A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF45N65M5
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3375pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@19.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：165}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW65R057M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：133W
阈值电压：5.7V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@18V
包装方式：管件
输入电容：930pF@400V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：74mΩ@16.7A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT5014SLLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：403W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3261pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@17.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS415DNT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5460pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM220NB06LCR RLG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：68W
阈值电压：1V
栅极电荷：23nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：35A
类型：MOSFET
导通电阻：22mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0065090J-TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：113W
阈值电压：3.5V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@600V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@20A，15V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6023SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：53.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2569pF@30V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL8N10F7
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€50W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@50V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL8N10F7
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€50W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@50V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD35N12S3L24ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.4V@39µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@35A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7M11-40HX
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：3.6V@1mA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1022pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0655DPB-00#J5
工作温度：150℃
功率：60W
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2550pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@17.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7617DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：12.3mΩ@13.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS415DNT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5460pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
