采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT452AP
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2.8V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6G050ATTCR
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
输入电容：1.1nF@20V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT452AP
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2.8V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6G050ATTCR
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
输入电容：1.1nF@20V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6G050ATTCR
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
输入电容：1.1nF@20V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT452AP
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6G050ATTCR
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
输入电容：1.1nF@20V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT452AP
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2.8V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJL9407_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
输入电容：516pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：50mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6G050ATTCR
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
输入电容：1.1nF@20V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT452AP
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT452AP
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT452AP
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2.8V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT452AP
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT452AP
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJL9407_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
输入电容：516pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：50mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT452AP
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2.8V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT452AP
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2.8V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LPB3407LT1G
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LPB3407LT1G
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3415AL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：570mV@250μA
栅极电荷：9.3nC@4.5V
输入电容：751pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
反向传输电容：80pF@10V
导通电阻：34mΩ@4.5V，4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LPB3407LT1G
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LPB3407LT1G
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4443-ES
功率：200mW
阈值电压：1.55V@250μA
栅极电荷：13.5nC
输入电容：660pF
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
反向传输电容：65pF
导通电阻：38mΩ@10V，5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G700P06LL
阈值电压：3V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：61mΩ@10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3415AL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：570mV@250μA
栅极电荷：9.3nC@4.5V
输入电容：751pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
反向传输电容：80pF@10V
导通电阻：34mΩ@4.5V，4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6G050ATTCR
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
输入电容：1.1nF@20V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP202A0003MR-G
功率：1W
阈值电压：2.6V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
输入电容：435pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@1.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6G050ATTCR
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
输入电容：1.1nF@20V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJL9407_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
输入电容：516pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：50mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
