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    INFINEON Mosfet场效应管 IMW65R027M1HXKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IMW65R027M1HXKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IMW65R027M1HXKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:189W

    阈值电压:5.7V@11mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:2131pF@400V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@38.3A,18V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Wolfspeed Mosfet场效应管 C3M0045065J1 起订1个装
    Wolfspeed Mosfet场效应管 C3M0045065J1 起订1个装

    品牌:Wolfspeed

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):C3M0045065J1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:147W

    阈值电压:3.6V@4.84mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:61nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1621pF@400V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@17.6A,15V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG47N60E-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9620pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:64mΩ@24A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQB47P06TM-AM002 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQB47P06TM-AM002 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQB47P06TM-AM002

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€160W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@23.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH3R203NL,L1Q 起订3个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH3R203NL,L1Q 起订3个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH3R203NL,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:1.6W€44W

    阈值电压:2.3V@300µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@15V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@23.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IMBG120R045M1HXTMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IMBG120R045M1HXTMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IMBG120R045M1HXTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:227W

    阈值电压:5.7V@7.5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@18V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1527pF@800V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:63mΩ@16A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLZ44NSTRLPBF 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLZ44NSTRLPBF 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLZ44NSTRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€110W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:48nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@25A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IMBG120R045M1HXTMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IMBG120R045M1HXTMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IMBG120R045M1HXTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:227W

    阈值电压:5.7V@7.5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@18V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1527pF@800V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:63mΩ@16A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M15-60EX 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M15-60EX 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M15-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:2.45V@1mA

    栅极电荷:17nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2230pF@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60EF-T1GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60EF-T1GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHK045N60EF-T1GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:278W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4685pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 HUF76429S3ST 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF76429S3ST 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF76429S3ST

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:110W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1480pF@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@47A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N65E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N65E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG47N65E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:273nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5682pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@24A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    QORVO Mosfet场效应管 UJ4C075033K3S 起订1个装
    QORVO Mosfet场效应管 UJ4C075033K3S 起订1个装

    品牌:QORVO

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):UJ4C075033K3S

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:242W

    阈值电压:6V@10mA

    栅极电荷:37.8nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@400V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:41mΩ@30A,12V

    漏源电压:750V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHB45NQ10T,118 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHB45NQ10T,118 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PHB45NQ10T,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2600pF@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SiHG47N60E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SiHG47N60E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SiHG47N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9620pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:64mΩ@24A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7628-100A,118 起订2个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7628-100A,118 起订2个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7628-100A,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:166W

    阈值电压:4V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IMBG120R045M1HXTMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IMBG120R045M1HXTMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IMBG120R045M1HXTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:227W

    阈值电压:5.7V@7.5mA

    栅极电荷:46nC@18V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1527pF@800V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:63mΩ@16A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ848EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ848EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ848EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@20V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60EF-T1GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60EF-T1GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHK045N60EF-T1GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:278W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4685pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ848EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ848EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ848EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@20V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP055N65S3H 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP055N65S3H 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP055N65S3H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:305W

    阈值电压:4V@4.8mA

    栅极电荷:96nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4305pF@400V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@23.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCH47N60-F133 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCH47N60-F133 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH47N60-F133

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:270nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8000F@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@23.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPW47N60C3FKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPW47N60C3FKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPW47N60C3FKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:415W

    阈值电压:3.9V@2.7mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:320nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6800pF@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@30A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCA47N60-F109 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCA47N60-F109 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCA47N60-F109

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:270nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8000pF@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@23.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHB47NQ10T,118 起订3个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHB47NQ10T,118 起订3个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PHB47NQ10T,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:166W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPW47N65C3FKSA1 起订43个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPW47N65C3FKSA1 起订43个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":134,"21+":100}

    包装规格(MPQ):240psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPW47N65C3FKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:415W

    阈值电压:3.9V@2.7mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:255nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7000pF@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@30A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPW47N60C3 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPW47N60C3 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPW47N60C3

    功率:415W

    阈值电压:3.9V@2.7mA

    连续漏极电流:47A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:70mΩ@10V,30A

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC094N06LS5ATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC094N06LS5ATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC094N06LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:36W

    阈值电压:2.3V@14µA

    栅极电荷:9.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@30V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.4mΩ@24A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT095N04D3 起订31个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT095N04D3 起订31个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT095N04D3

    阈值电压:2.5V

    连续漏极电流:47A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP054N65E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP054N65E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP054N65E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:312W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3769pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@20A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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