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    DIODES Mosfet场效应管 DMP4025LK3-13 起订25个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4025LK3-13 起订25个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP4025LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:33.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1643pF@20V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040LTS-13 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040LTS-13 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2040LTS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:890mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@10V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:26mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4025LK3-13 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4025LK3-13 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP4025LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:33.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1643pF@20V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4896DY-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4896DY-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4896DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:16.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7404TRPBF 起订6个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7404TRPBF 起订6个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7404TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:50nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@15V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@3.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFPF50PBF 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFPF50PBF 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFPF50PBF

    功率:190W

    阈值电压:4V@250μA

    连续漏极电流:6.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@10V,4A

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM210N02CX RFG 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM210N02CX RFG 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM210N02CX RFG

    工作温度:150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@10V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040UVT-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040UVT-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2040UVT-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:667pF@10V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4896DY-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4896DY-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4896DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:16.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3018SSD-13 起订18个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3018SSD-13 起订18个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3018SSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:697pF@15V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:22mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3018SSD-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3018SSD-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3018SSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:697pF@15V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:22mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4896DY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4896DY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4896DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:16.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040UVT-13 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040UVT-13 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2040UVT-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:667pF@10V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4931DY-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4931DY-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4931DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@350µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.7A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:18mΩ@8.9A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPF50PBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPF50PBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFPF50PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:200nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2900pF@25V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@4A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z14PBF 起订66个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z14PBF 起订66个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9Z14PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:43W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:270pF@25V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:500mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD306P 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD306P 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD306P

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:52W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:21nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1290pF@6V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:28mΩ@6.7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z14PBF 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z14PBF 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9Z14PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:43W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:270pF@25V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:500mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM210N02CX RFG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM210N02CX RFG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM210N02CX RFG

    工作温度:150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@10V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4025LK3-13 起订625个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4025LK3-13 起订625个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP4025LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:33.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1643pF@20V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3018SSD-13 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3018SSD-13 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3018SSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:697pF@15V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:22mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3018SSD-13 起订625个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3018SSD-13 起订625个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3018SSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:697pF@15V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:22mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4896DY-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4896DY-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4896DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:16.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM210N02CX RFG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM210N02CX RFG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM210N02CX RFG

    工作温度:150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@10V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2039UFDE-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2039UFDE-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2039UFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:48.7nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2530pF@15V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:27mΩ@6.4A,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3018SSD-13 起订7500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3018SSD-13 起订7500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3018SSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:697pF@15V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:22mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2039UFDE-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2039UFDE-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2039UFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:48.7nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2530pF@15V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:27mΩ@6.4A,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3018SSD-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3018SSD-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3018SSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:697pF@15V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:22mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4931DY-T1-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4931DY-T1-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4931DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@350µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.7A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:18mΩ@8.9A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2039UFDE-7 起订750个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2039UFDE-7 起订750个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2039UFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:48.7nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2530pF@15V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:27mΩ@6.4A,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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