品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4025LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:33.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1643pF@20V
连续漏极电流:6.7A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2040LTS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:890mW
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@10V
连续漏极电流:6.7A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:26mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4025LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:33.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1643pF@20V
连续漏极电流:6.7A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4896DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.7A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7404TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:50nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@15V
连续漏极电流:6.7A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@3.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPF50PBF
功率:190W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:6.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,4A
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM210N02CX RFG
工作温度:150℃
功率:1.56W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:6.7A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2040UVT-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:7.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:667pF@10V
连续漏极电流:6.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4896DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.7A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3018SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:697pF@15V
连续漏极电流:6.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:22mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3018SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:697pF@15V
连续漏极电流:6.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:22mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4896DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.7A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2040UVT-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:7.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:667pF@10V
连续漏极电流:6.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4931DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@350µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.7A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:18mΩ@8.9A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPF50PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2900pF@25V
连续漏极电流:6.7A
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@4A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9Z14PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:43W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:管件
输入电容:270pF@25V
连续漏极电流:6.7A
类型:P沟道
导通电阻:500mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD306P
工作温度:-55℃~175℃
功率:52W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1290pF@6V
连续漏极电流:6.7A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@6.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9Z14PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:43W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:管件
输入电容:270pF@25V
连续漏极电流:6.7A
类型:P沟道
导通电阻:500mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM210N02CX RFG
工作温度:150℃
功率:1.56W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:6.7A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4025LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:33.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1643pF@20V
连续漏极电流:6.7A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3018SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:697pF@15V
连续漏极电流:6.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:22mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3018SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:697pF@15V
连续漏极电流:6.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:22mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4896DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.7A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM210N02CX RFG
工作温度:150℃
功率:1.56W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:6.7A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2039UFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:48.7nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2530pF@15V
连续漏极电流:6.7A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@6.4A,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3018SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:697pF@15V
连续漏极电流:6.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:22mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2039UFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:48.7nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2530pF@15V
连续漏极电流:6.7A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@6.4A,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3018SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:697pF@15V
连续漏极电流:6.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:22mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4931DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@350µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.7A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:18mΩ@8.9A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2039UFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:48.7nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2530pF@15V
连续漏极电流:6.7A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@6.4A,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: