采购热线 400-661-9010
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：17001}
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK5013DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：30W
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：465mΩ@7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP19NM50N
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP19NM50N
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP19NM50N
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW19NM50N
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP19NM50N
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：17001}
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK5013DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：30W
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：465mΩ@7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP19NM50N
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP19NM50N
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP19NM50N
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW19NM50N
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW19NM50N
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP19NM50N
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP19NM50N
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP19NM50N
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：17001}
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK5013DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：30W
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：465mΩ@7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：17001}
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK5013DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：30W
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：465mΩ@7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：17001}
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK5013DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：30W
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：465mΩ@7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：17001}
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK5013DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：30W
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：465mΩ@7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW19NM50N
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW19NM50N
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP19NM50N
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：1psc
生产批次：{"18+"：17001}
规格型号(MPN)：RJK5013DPP-E0#T2
漏源电压：500V
工作温度：150℃
栅极电荷：38nC@10V
类型：N沟道
导通电阻：465mΩ@7A，10V
输入电容：1450pF@25V
包装方式：管件
连续漏极电流：14A
功率：30W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW19NM50N
漏源电压：500V
栅极电荷：34nC@10V
功率：110W
工作温度：150℃
类型：N沟道
输入电容：1000pF@50V
包装方式：管件
连续漏极电流：14A
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：250mΩ@7A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW19NM50N
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP19NM50N
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW19NM50N
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP19NM50N
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP19NM50N
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW19NM50N
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
