采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS670T116
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2V@10µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：47pF@30V
连续漏极电流：650mA
类型：N沟道
导通电阻：680mΩ@650mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS670T116
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2V@10µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：47pF@30V
连续漏极电流：650mA
类型：N沟道
导通电阻：680mΩ@650mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K357R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@12V
连续漏极电流：650mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K357R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@12V
连续漏极电流：650mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS670T116
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2V@10µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：47pF@30V
连续漏极电流：650mA
类型：N沟道
导通电阻：680mΩ@650mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K357R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：1.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@12V
连续漏极电流：650mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K357R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@12V
连续漏极电流：650mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS670T116
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2V@10µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：47pF@30V
连续漏极电流：650mA
类型：N沟道
导通电阻：680mΩ@650mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS670T116
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2V@10µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：47pF@30V
连续漏极电流：650mA
类型：N沟道
导通电阻：680mΩ@650mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS670T116
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2V@10µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：47pF@30V
连续漏极电流：650mA
类型：N沟道
导通电阻：680mΩ@650mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS670T116
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2V@10µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：47pF@30V
连续漏极电流：650mA
类型：N沟道
导通电阻：680mΩ@650mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K357R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@12V
连续漏极电流：650mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS670T116
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2V@10µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：47pF@30V
连续漏极电流：650mA
类型：N沟道
导通电阻：680mΩ@650mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K357R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@12V
连续漏极电流：650mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K357R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：1.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@12V
连续漏极电流：650mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K357R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@12V
连续漏极电流：650mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K357R，LF
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
阈值电压：2V@1mA
输入电容：60pF@12V
栅极电荷：1.5nC@5V
连续漏极电流：650mA
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
功率：1W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS670T116
导通电阻：680mΩ@650mA，10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
类型：N沟道
输入电容：47pF@30V
漏源电压：60V
功率：200mW
连续漏极电流：650mA
阈值电压：2V@10µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K357R，LF
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
阈值电压：2V@1mA
输入电容：60pF@12V
栅极电荷：1.5nC@5V
连续漏极电流：650mA
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
功率：1W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS670T116
导通电阻：680mΩ@650mA，10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
连续漏极电流：650mA
类型：N沟道
输入电容：47pF@30V
阈值电压：2V@10µA
漏源电压：60V
功率：200mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K357R，LF
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
阈值电压：2V@1mA
输入电容：60pF@12V
栅极电荷：1.5nC@5V
连续漏极电流：650mA
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
功率：1W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS670T116
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2V@10µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：47pF@30V
连续漏极电流：650mA
类型：N沟道
导通电阻：680mΩ@650mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K357R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@12V
连续漏极电流：650mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS670T116
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2V@10µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：47pF@30V
连续漏极电流：650mA
类型：N沟道
导通电阻：680mΩ@650mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS670T116
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2V@10µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：47pF@30V
连续漏极电流：650mA
类型：N沟道
导通电阻：680mΩ@650mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS670T116
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2V@10µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：47pF@30V
连续漏极电流：650mA
类型：N沟道
导通电阻：680mΩ@650mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS670T116
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2V@10µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：47pF@30V
连续漏极电流：650mA
类型：N沟道
导通电阻：680mΩ@650mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K357R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@12V
连续漏极电流：650mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS670T116
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2V@10µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：47pF@30V
连续漏极电流：650mA
类型：N沟道
导通电阻：680mΩ@650mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K357R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@12V
连续漏极电流：650mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
