采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D4SDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：650mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：400mΩ@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN32D4SDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：650mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：400mΩ@250mA，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN32D4SDW-7
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功率：290mW
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连续漏极电流：650mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：400mΩ@250mA，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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导通电阻：400mΩ@250mA，10V
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行业应用：工业,汽车
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类型：2N沟道（双）
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导通电阻：400mΩ@250mA，10V
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导通电阻：400mΩ@250mA，10V
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类型：2N沟道（双）
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类型：2N沟道（双）
导通电阻：400mΩ@250mA，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN32D4SDW-7
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功率：290mW
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连续漏极电流：650mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：400mΩ@250mA，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN32D4SDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：650mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：400mΩ@250mA，10V
漏源电压：30V
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品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ES3139KE
功率：900mW
阈值电压：620mV@250μA
栅极电荷：1.25nC
输入电容：71pF
连续漏极电流：650mA
类型：1个P沟道
反向传输电容：15pF
导通电阻：580mΩ@4.5V，0.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ES3139KE
功率：900mW
阈值电压：620mV@250μA
栅极电荷：1.25nC
输入电容：71pF
连续漏极电流：650mA
类型：1个P沟道
反向传输电容：15pF
导通电阻：580mΩ@4.5V，0.5A
漏源电压：20V
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品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ES3139KE
功率：900mW
阈值电压：620mV@250μA
栅极电荷：1.25nC
输入电容：71pF
连续漏极电流：650mA
类型：1个P沟道
反向传输电容：15pF
导通电阻：580mΩ@4.5V，0.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D4SDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：650mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：400mΩ@250mA，10V
漏源电压：30V
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品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ES3139KE
功率：900mW
阈值电压：620mV@250μA
栅极电荷：1.25nC
输入电容：71pF
连续漏极电流：650mA
类型：1个P沟道
反向传输电容：15pF
导通电阻：580mΩ@4.5V，0.5A
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ES3139KE
功率：900mW
阈值电压：620mV@250μA
栅极电荷：1.25nC
输入电容：71pF
连续漏极电流：650mA
类型：1个P沟道
反向传输电容：15pF
导通电阻：580mΩ@4.5V，0.5A
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D4SDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：650mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：400mΩ@250mA，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D4SDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：650mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：400mΩ@250mA，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D4SDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：650mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：400mΩ@250mA，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D4SDW-7
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功率：290mW
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：650mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：400mΩ@250mA，10V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：650mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：400mΩ@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D4SDW-7
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功率：290mW
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：650mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：400mΩ@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D4SDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：650mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：400mΩ@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D4SDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：650mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：400mΩ@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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