采购热线 400-661-9010
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LN2302BLT1G
功率：1.25W
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：85mΩ@4.5V，2.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LN2302BLT1G
功率：1.25W
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：85mΩ@4.5V，2.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LN2302BLT1G
功率：1.25W
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：85mΩ@4.5V，2.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LN2302BLT1G
功率：1.25W
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：85mΩ@4.5V，2.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LN2302BLT1G
功率：1.25W
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：85mΩ@4.5V，2.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LN2302BLT1G
功率：1.25W
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：85mΩ@4.5V，2.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LN2302BLT1G
功率：1.25W
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：85mΩ@4.5V，2.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LN2302BLT1G
功率：1.25W
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：85mΩ@4.5V，2.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LN2302BLT1G
功率：1.25W
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：85mΩ@4.5V，2.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LN2302BLT1G
功率：1.25W
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：85mΩ@4.5V，2.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LN2302BLT1G
功率：1.25W
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：85mΩ@4.5V，2.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MGSF2N02ELT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@5V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：85mΩ@4.5V，3.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2240
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2302UK-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：660mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：90mΩ@4.5V，3.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2240
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2302UK-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：660mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：90mΩ@4.5V，3.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MGSF2N02ELT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@5V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：85mΩ@4.5V，3.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MGSF2N02ELT1G
输入电容：150pF@5V
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
栅极电荷：3.5nC@4V
连续漏极电流：2.8A
导通电阻：85mΩ@4.5V，3.6A
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1V@250μA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
功率：1.25W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
