采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2301ACX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@15V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2301ACX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@15V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2301ACX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@15V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2301ACX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@15V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2301ACX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@15V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2301ACX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@15V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV65XPEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW€6.25W
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：618pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：78mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISP12DP06NMXTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W€4.2W
阈值电压：4V@520µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@30V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@2.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3068LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：7.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：708pF@15V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV65XP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：7.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：744pF@20V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：74mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV65XP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：7.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：744pF@20V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：74mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS21319C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV65XP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：7.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：744pF@20V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：74mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV65XPEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW€6.25W
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：618pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：78mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3F30FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@15V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3F30FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@15V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV65XP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：7.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：744pF@20V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：74mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV65XP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：7.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：744pF@20V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：74mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV65XPEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW€6.25W
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：618pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：78mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV65XPER
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW€6.25W
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：618pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：78mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV65XPER
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW€6.25W
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：618pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：78mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4455DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€5.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@50V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：295mΩ@4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV65XPEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW€6.25W
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：618pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：78mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV65XPEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW€6.25W
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：618pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：78mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@6V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@6V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV65XPEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW€6.25W
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：618pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：78mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV65XPER
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW€6.25W
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：618pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：78mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4455DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€5.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@50V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：295mΩ@4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV65XPER
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW€6.25W
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：618pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：78mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
