品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3H200SNTL1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:12nC@5V
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@20A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":18000}
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2726UT1A-E1-AY
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@5V
输入电容:1.72nF@15V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3H200SNTL1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:12nC@5V
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@20A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":18000}
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2726UT1A-E1-AY
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@5V
输入电容:1.72nF@15V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3H200SNTL1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:12nC@5V
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@20A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3H200SNTL1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:12nC@5V
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@20A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":18000}
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2726UT1A-E1-AY
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@5V
输入电容:1.72nF@15V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3H200SNTL1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:12nC@5V
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@20A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3H200SNTL1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:12nC@5V
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@20A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"8B+":61026}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0368DPA-00#J0
功率:25W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@4.5V
输入电容:730pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:14.3mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3H200SNTL1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:12nC@5V
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@20A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3H200SNTL1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:12nC@5V
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@20A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"8B+":61026}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0368DPA-00#J0
功率:25W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@4.5V
输入电容:730pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:14.3mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3H200SNTL1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:12nC@5V
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@20A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3H200SNTL1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:12nC@5V
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@20A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3H200SNTL1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:12nC@5V
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@20A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3H200SNTL1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:12nC@5V
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@20A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3H200SNTL1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:12nC@5V
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@20A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E200BNTB
功率:3W€25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.1nF@15V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.9mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3H200SNTL1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:12nC@5V
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@20A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E200GNTB
功率:3W€25.1W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:16.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.08nF@15V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E200BNTB
功率:3W€25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.1nF@15V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.9mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: