采购热线 400-661-9010
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：18000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2726UT1A-E1-AY
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@5V
输入电容：1.72nF@15V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：18000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2726UT1A-E1-AY
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@5V
输入电容：1.72nF@15V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN6R303NC，LQ(S
功率：19W
阈值电压：2.3V@200μA
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.3mΩ@10V，10A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN6R303NC，LQ(S
功率：19W
阈值电压：2.3V@200μA
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.3mΩ@10V，10A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：18000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2726UT1A-E1-AY
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@5V
输入电容：1.72nF@15V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN6R303NC，LQ(S
功率：19W
阈值电压：2.3V@200μA
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.3mΩ@10V，10A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"8B+"：61026}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0368DPA-00#J0
功率：25W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@4.5V
输入电容：730pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：14.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN6R303NC，LQ(S
功率：19W
阈值电压：2.3V@200μA
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.3mΩ@10V，10A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN6R303NC，LQ(S
功率：19W
阈值电压：2.3V@200μA
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.3mΩ@10V，10A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS120N03YB
功率：15.5W
阈值电压：1.8V@250μA
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：16mΩ@4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS120N03YB
功率：15.5W
阈值电压：1.8V@250μA
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：16mΩ@4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN6R303NC，LQ(S
连续漏极电流：20A
导通电阻：6.3mΩ@10V，10A
漏源电压：30V
阈值电压：2.3V@200μA
类型：1个N沟道
功率：19W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"8B+"：61026}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0368DPA-00#J0
功率：25W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@4.5V
输入电容：730pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：14.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17578Q3A
功率：3.2W
阈值电压：1.9V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10V，10A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E200BNTB
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.1nF@15V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E200GNTB
功率：3W€25.1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：16.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.08nF@15V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E200BNTB
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.1nF@15V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
