采购热线 400-661-9010
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G20P10KE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：69W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：3.354nF@50V
连续漏极电流：20A
类型：1个P沟道
导通电阻：94mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF3860T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33.8W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：38.2mΩ@10V，5.9A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF3860T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33.8W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：38.2mΩ@10V，5.9A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF3860T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33.8W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：38.2mΩ@10V，5.9A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF3860T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33.8W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：38.2mΩ@10V，5.9A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF3860T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33.8W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：38.2mΩ@10V，5.9A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF3860T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33.8W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：38.2mΩ@10V，5.9A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF3860T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33.8W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：38.2mΩ@10V，5.9A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF3860T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33.8W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：38.2mΩ@10V，5.9A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF3860T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33.8W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：38.2mΩ@10V，5.9A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G20P10KE
连续漏极电流：20A
功率：69W
栅极电荷：70nC@10V
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个P沟道
导通电阻：94mΩ
漏源电压：100V
阈值电压：3V@250μA
输入电容：3.354nF@50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF3860T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33.8W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：38.2mΩ@10V，5.9A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF3860T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33.8W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：38.2mΩ@10V，5.9A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G20P10KE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：69W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：3.354nF@50V
连续漏极电流：20A
类型：1个P沟道
导通电阻：94mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF3860T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33.8W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：38.2mΩ@10V，5.9A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF3860T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33.8W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：38.2mΩ@10V，5.9A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF3860T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33.8W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：38.2mΩ@10V，5.9A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G20P10KE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：69W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：3.354nF@50V
连续漏极电流：20A
类型：1个P沟道
导通电阻：94mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF3860T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33.8W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：38.2mΩ@10V，5.9A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF3860T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33.8W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：38.2mΩ@10V，5.9A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
