品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":206}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZA65R027M1HXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:189W
阈值电压:5.7V@11mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@18V
包装方式:管件
输入电容:2131pF@400V
连续漏极电流:59A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@38.3A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD122N10N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:3.5V@46µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@50V
连续漏极电流:59A
类型:N沟道
导通电阻:12.2mΩ@46A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN012-60YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:89W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:28.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1685pF@30V
连续漏极电流:59A
类型:N沟道
导通电阻:11.1mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD122N10N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:3.5V@46µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@50V
连续漏极电流:59A
类型:N沟道
导通电阻:12.2mΩ@46A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN012-60YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:89W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:28.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1685pF@30V
连续漏极电流:59A
类型:N沟道
导通电阻:11.1mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA59N30
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4670pF@25V
连续漏极电流:59A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@29.5A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:1701
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF3707ZSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:57W
阈值电压:2.25V@25µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1210pF@15V
连续漏极电流:59A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@21A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":200}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRF3710ZSTRL
工作温度:-55℃~175℃
功率:160W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@25V
连续漏极电流:59A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@35A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD122N10N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:3.5V@46µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@50V
连续漏极电流:59A
类型:N沟道
导通电阻:12.2mΩ@46A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":206}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZA65R027M1HXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:189W
阈值电压:5.7V@11mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@18V
包装方式:管件
输入电容:2131pF@400V
连续漏极电流:59A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@38.3A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":206}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZA65R027M1HXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:189W
阈值电压:5.7V@11mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@18V
包装方式:管件
输入电容:2131pF@400V
连续漏极电流:59A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@38.3A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN012-60YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:89W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:28.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1685pF@30V
连续漏极电流:59A
类型:N沟道
导通电阻:11.1mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF3710ZSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:160W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@25V
连续漏极电流:59A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@35A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD122N10N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:3.5V@46µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@50V
连续漏极电流:59A
类型:N沟道
导通电阻:12.2mΩ@46A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN012-60YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:89W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:28.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1685pF@30V
连续漏极电流:59A
类型:N沟道
导通电阻:11.1mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD122N10N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:3.5V@46µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@50V
连续漏极电流:59A
类型:N沟道
导通电阻:12.2mΩ@46A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZA65R027M1HXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:189W
阈值电压:5.7V@11mA
栅极电荷:63nC@18V
包装方式:管件
输入电容:2131pF@400V
连续漏极电流:59A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@38.3A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA59N30
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4670pF@25V
连续漏极电流:59A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@29.5A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":2400}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF3710ZSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:160W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@25V
连续漏极电流:59A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@35A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN012-60YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:89W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1685pF@30V
连续漏极电流:59A
类型:N沟道
导通电阻:11.1mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD122N10N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:3.5V@46µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@50V
连续漏极电流:59A
类型:N沟道
导通电阻:12.2mΩ@46A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF3710ZSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:160W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@25V
连续漏极电流:59A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@35A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN012-60YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:89W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1685pF@30V
连续漏极电流:59A
类型:N沟道
导通电阻:11.1mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF3710ZPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:160W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2900pF@25V
连续漏极电流:59A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@35A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":85,"22+":4944}
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRF3710ZS
工作温度:-55℃~175℃
功率:160W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2900pF@25V
连续漏极电流:59A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@35A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF3710ZPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:160W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2900pF@25V
连续漏极电流:59A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@35A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA59N30
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4670pF@25V
连续漏极电流:59A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@29.5A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF3710ZPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:160W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2900pF@25V
连续漏极电流:59A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@35A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":200}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRF3710ZSTRL
工作温度:-55℃~175℃
功率:160W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@25V
连续漏极电流:59A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@35A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA59N30
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4670pF@25V
连续漏极电流:59A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@29.5A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存: