销售单位：个

规格型号(MPN)：PSMN102-200Y，115

工作温度：-55℃~150℃

功率：113W

阈值电压：4V@1mA

栅极电荷：30.7nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1568pF@30V

连续漏极电流：21.5A

类型：N沟道

导通电阻：102mΩ@12A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PSMN102-200Y，115

工作温度：-55℃~150℃

功率：113W

阈值电压：4V@1mA

栅极电荷：30.7nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1568pF@30V

连续漏极电流：21.5A

类型：N沟道

导通电阻：102mΩ@12A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PSMN102-200Y，115

工作温度：-55℃~150℃

功率：113W

阈值电压：4V@1mA

栅极电荷：30.7nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1568pF@30V

连续漏极电流：21.5A

类型：N沟道

导通电阻：102mΩ@12A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PSMN102-200Y，115

工作温度：-55℃~150℃

功率：113W

阈值电压：4V@1mA

ECCN：EAR99

栅极电荷：30.7nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1568pF@30V

连续漏极电流：21.5A

类型：N沟道

导通电阻：102mΩ@12A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PSMN102-200Y，115

工作温度：-55℃~150℃

功率：113W

阈值电压：4V@1mA

栅极电荷：30.7nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1568pF@30V

连续漏极电流：21.5A

类型：N沟道

导通电阻：102mΩ@12A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PSMN102-200Y，115

工作温度：-55℃~150℃

功率：113W

阈值电压：4V@1mA

ECCN：EAR99

栅极电荷：30.7nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1568pF@30V

连续漏极电流：21.5A

类型：N沟道

导通电阻：102mΩ@12A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：PXN6R7-30QLJ

工作温度：-55℃~+150℃

功率：4.8W

阈值电压：2.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：24.8nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：21.5A

类型：MOSFET

导通电阻：8.6mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：9000，"22+"：21000，"23+"：4500，"MI+"：6000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：PSMN102-200Y，115

工作温度：-55℃~150℃

功率：113W

阈值电压：4V@1mA

ECCN：EAR99

栅极电荷：30.7nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1568pF@30V

连续漏极电流：21.5A

类型：N沟道

导通电阻：102mΩ@12A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PSMN102-200Y，115

工作温度：-55℃~150℃

功率：113W

阈值电压：4V@1mA

ECCN：EAR99

栅极电荷：30.7nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1568pF@30V

连续漏极电流：21.5A

类型：N沟道

导通电阻：102mΩ@12A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PSMN102-200Y，115

工作温度：-55℃~150℃

功率：113W

阈值电压：4V@1mA

ECCN：EAR99

栅极电荷：30.7nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1568pF@30V

连续漏极电流：21.5A

类型：N沟道

导通电阻：102mΩ@12A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PSMN102-200Y，115

工作温度：-55℃~150℃

功率：113W

阈值电压：4V@1mA

栅极电荷：30.7nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1568pF@30V

连续漏极电流：21.5A

类型：N沟道

导通电阻：102mΩ@12A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PSMN102-200Y，115

工作温度：-55℃~150℃

功率：113W

阈值电压：4V@1mA

ECCN：EAR99

栅极电荷：30.7nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1568pF@30V

连续漏极电流：21.5A

类型：N沟道

导通电阻：102mΩ@12A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PSMN102-200Y，115

工作温度：-55℃~150℃

功率：113W

阈值电压：4V@1mA

ECCN：EAR99

栅极电荷：30.7nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1568pF@30V

连续漏极电流：21.5A

类型：N沟道

导通电阻：102mΩ@12A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PSMN102-200Y，115

工作温度：-55℃~150℃

功率：113W

阈值电压：4V@1mA

ECCN：EAR99

栅极电荷：30.7nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1568pF@30V

连续漏极电流：21.5A

类型：N沟道

导通电阻：102mΩ@12A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PSMN102-200Y，115

工作温度：-55℃~150℃

功率：113W

阈值电压：4V@1mA

ECCN：EAR99

栅极电荷：30.7nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1568pF@30V

连续漏极电流：21.5A

类型：N沟道

导通电阻：102mΩ@12A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：PXN6R7-30QLJ

工作温度：-55℃~+150℃

功率：4.8W

阈值电压：2.2V

栅极电荷：24.8nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：21.5A

类型：MOSFET

导通电阻：8.6mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：PXN6R7-30QLJ

工作温度：-55℃~+150℃

功率：4.8W

阈值电压：2.2V

栅极电荷：24.8nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：21.5A

类型：MOSFET

导通电阻：8.6mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：PXN6R7-30QLJ

工作温度：-55℃~+150℃

功率：4.8W

阈值电压：2.2V

栅极电荷：24.8nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：21.5A

类型：MOSFET

导通电阻：8.6mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：PXN6R7-30QLJ

工作温度：-55℃~+150℃

功率：4.8W

阈值电压：2.2V

栅极电荷：24.8nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：21.5A

类型：MOSFET

导通电阻：8.6mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：48000}

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：PXN6R7-30QLJ

工作温度：-55℃~+150℃

功率：4.8W

阈值电压：2.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：24.8nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：21.5A

类型：MOSFET

导通电阻：8.6mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：9000，"22+"：21000，"23+"：4500，"MI+"：6000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：PSMN102-200Y，115

工作温度：-55℃~150℃

功率：113W

阈值电压：4V@1mA

ECCN：EAR99

栅极电荷：30.7nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1568pF@30V

连续漏极电流：21.5A

类型：N沟道

导通电阻：102mΩ@12A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：3000psc

规格型号(MPN)：PXN6R7-30QLJ

漏源电压：30V

包装方式：Reel

栅极电荷：24.8nC

阈值电压：2.2V

工作温度：-55℃~+150℃

导通电阻：8.6mΩ

ECCN：EAR99

功率：4.8W

类型：MOSFET

连续漏极电流：21.5A

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：PXN6R7-30QLJ

工作温度：-55℃~+150℃

功率：4.8W

阈值电压：2.2V

栅极电荷：24.8nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：21.5A

类型：MOSFET

导通电阻：8.6mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：3000psc

规格型号(MPN)：PXN6R7-30QLJ

漏源电压：30V

包装方式：Reel

栅极电荷：24.8nC

阈值电压：2.2V

工作温度：-55℃~+150℃

导通电阻：8.6mΩ

功率：4.8W

类型：MOSFET

连续漏极电流：21.5A

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PSMN102-200Y，115

导通电阻：102mΩ@12A，10V

包装方式：卷带（TR）

工作温度：-55℃~150℃

类型：N沟道

栅极电荷：30.7nC@10V

功率：113W

阈值电压：4V@1mA

输入电容：1568pF@30V

ECCN：EAR99

漏源电压：200V

连续漏极电流：21.5A

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PSMN102-200Y，115

工作温度：-55℃~150℃

功率：113W

阈值电压：4V@1mA

ECCN：EAR99

栅极电荷：30.7nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1568pF@30V

连续漏极电流：21.5A

类型：N沟道

导通电阻：102mΩ@12A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PSMN102-200Y，115

工作温度：-55℃~150℃

功率：113W

阈值电压：4V@1mA

ECCN：EAR99

栅极电荷：30.7nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1568pF@30V

连续漏极电流：21.5A

类型：N沟道

导通电阻：102mΩ@12A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PSMN102-200Y，115

工作温度：-55℃~150℃

功率：113W

阈值电压：4V@1mA

ECCN：EAR99

栅极电荷：30.7nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1568pF@30V

连续漏极电流：21.5A

类型：N沟道

导通电阻：102mΩ@12A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PSMN102-200Y，115

工作温度：-55℃~150℃

功率：113W

阈值电压：4V@1mA

栅极电荷：30.7nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1568pF@30V

连续漏极电流：21.5A

类型：N沟道

导通电阻：102mΩ@12A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：PXN6R7-30QLJ

工作温度：-55℃~+150℃

功率：4.8W

阈值电压：2.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：24.8nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：21.5A

类型：MOSFET

导通电阻：8.6mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1