品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STY145N65M5
工作温度:150℃
功率:625W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:414nC@10V
包装方式:管件
输入电容:18500pF@100V
连续漏极电流:138A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@69A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFN170N30P
工作温度:-55℃~150℃
功率:890W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:258nC@10V
输入电容:20000pF@25V
连续漏极电流:138A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@85A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMYS2D4N04CTWG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:83W
阈值电压:3.5V
栅极电荷:32nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:138A
类型:MOSFET
导通电阻:2.3mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFN170N30P
工作温度:-55℃~150℃
功率:890W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:258nC@10V
输入电容:20000pF@25V
连续漏极电流:138A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@85A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMYS2D4N04CTWG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:83W
阈值电压:3.5V
栅极电荷:32nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:138A
类型:MOSFET
导通电阻:2.3mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STY145N65M5
工作温度:150℃
功率:625W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:414nC@10V
包装方式:管件
输入电容:18500pF@100V
连续漏极电流:138A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@69A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STY145N65M5
工作温度:150℃
功率:625W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:414nC@10V
包装方式:管件
输入电容:18500pF@100V
连续漏极电流:138A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@69A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STY145N65M5
工作温度:150℃
功率:625W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:414nC@10V
包装方式:管件
输入电容:18500pF@100V
连续漏极电流:138A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@69A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMYS2D4N04CTWG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:83W
阈值电压:3.5V
栅极电荷:32nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:138A
类型:MOSFET
导通电阻:2.3mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMYS2D4N04CTWG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:83W
阈值电压:3.5V
栅极电荷:32nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:138A
类型:MOSFET
导通电阻:2.3mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):3000psc
规格型号(MPN):NTMYS2D4N04CTWG
功率:83W
阈值电压:3.5V
包装方式:Reel
栅极电荷:32nC
漏源电压:40V
导通电阻:2.3mΩ
工作温度:-55℃~+175℃
连续漏极电流:138A
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STY145N65M5
工作温度:150℃
功率:625W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:414nC@10V
输入电容:18500pF@100V
漏源电压:650V
导通电阻:15mΩ@69A,10V
包装方式:管件
连续漏极电流:138A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STY145N65M5
工作温度:150℃
功率:625W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:414nC@10V
包装方式:管件
输入电容:18500pF@100V
连续漏极电流:138A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@69A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STY145N65M5
工作温度:150℃
功率:625W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:414nC@10V
包装方式:管件
输入电容:18500pF@100V
连续漏极电流:138A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@69A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STY145N65M5
工作温度:150℃
功率:625W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:414nC@10V
包装方式:管件
输入电容:18500pF@100V
连续漏极电流:138A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@69A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":387}
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMYS2D4N04CTWG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:83W
阈值电压:3.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:138A
类型:MOSFET
导通电阻:2.3mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMYS2D4N04CTWG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:83W
阈值电压:3.5V
栅极电荷:32nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:138A
类型:MOSFET
导通电阻:2.3mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MPT045N08S
工作温度:-55℃~+150℃
功率:173.6W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:80nC@10V
输入电容:4.021nF@40V
连续漏极电流:138A
类型:1个N沟道
反向传输电容:17pF@40V
导通电阻:4.4mΩ@10V,50A
漏源电压:85V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STY145N65M5
工作温度:150℃
功率:625W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:414nC@10V
包装方式:管件
输入电容:18500pF@100V
连续漏极电流:138A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@69A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MPT045N08S
工作温度:-55℃~+150℃
功率:173.6W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:80nC@10V
输入电容:4.021nF@40V
连续漏极电流:138A
类型:1个N沟道
反向传输电容:17pF@40V
导通电阻:4.4mΩ@10V,50A
漏源电压:85V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"19+":387}
包装规格(MPQ):3000psc
规格型号(MPN):NTMYS2D4N04CTWG
功率:83W
阈值电压:3.5V
包装方式:Reel
栅极电荷:32nC
漏源电压:40V
导通电阻:2.3mΩ
工作温度:-55℃~+175℃
ECCN:EAR99
连续漏极电流:138A
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存: