品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSCSM70VM10C4AG
工作温度:-40℃~175℃
功率:674W
阈值电压:2.4V@8mA
包装方式:管件
输入电容:9000pF@700V
连续漏极电流:238A
类型:2N沟道(相角)
导通电阻:9.5mΩ@80A,20V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ123ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:180nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11680pF@6V
连续漏极电流:238A
类型:P沟道
导通电阻:4mΩ@10A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ123ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:180nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11680pF@6V
连续漏极电流:238A
类型:P沟道
导通电阻:4mΩ@10A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ123ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:180nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11680pF@6V
连续漏极电流:238A
类型:P沟道
导通电阻:4mΩ@10A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ123ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:180nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11680pF@6V
连续漏极电流:238A
类型:P沟道
导通电阻:4mΩ@10A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ123ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:180nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11680pF@6V
连续漏极电流:238A
类型:P沟道
导通电阻:4mΩ@10A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ123ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:180nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11680pF@6V
连续漏极电流:238A
类型:P沟道
导通电阻:4mΩ@10A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ123ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:180nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11680pF@6V
连续漏极电流:238A
类型:P沟道
导通电阻:4mΩ@10A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ123ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:180nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11680pF@6V
连续漏极电流:238A
类型:P沟道
导通电阻:4mΩ@10A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ123ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:1.5V@250µA
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输入电容:11680pF@6V
连续漏极电流:238A
类型:P沟道
导通电阻:4mΩ@10A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ123ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:180nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11680pF@6V
连续漏极电流:238A
类型:P沟道
导通电阻:4mΩ@10A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ123ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:180nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11680pF@6V
连续漏极电流:238A
类型:P沟道
导通电阻:4mΩ@10A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ123ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:1.5V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:11680pF@6V
连续漏极电流:238A
类型:P沟道
导通电阻:4mΩ@10A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ123ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:1.5V@250µA
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输入电容:11680pF@6V
连续漏极电流:238A
类型:P沟道
导通电阻:4mΩ@10A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ123ELP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:4mΩ@10A,4.5V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:11680pF@6V
类型:P沟道
漏源电压:12V
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:180nC@4.5V
功率:375W
连续漏极电流:238A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ123ELP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:4mΩ@10A,4.5V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:11680pF@6V
类型:P沟道
漏源电压:12V
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:180nC@4.5V
功率:375W
连续漏极电流:238A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ123ELP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:4mΩ@10A,4.5V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:11680pF@6V
类型:P沟道
漏源电压:12V
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:180nC@4.5V
功率:375W
连续漏极电流:238A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ123ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:180nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11680pF@6V
连续漏极电流:238A
类型:P沟道
导通电阻:4mΩ@10A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ123ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:180nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11680pF@6V
连续漏极电流:238A
类型:P沟道
导通电阻:4mΩ@10A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ123ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:180nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11680pF@6V
连续漏极电流:238A
类型:P沟道
导通电阻:4mΩ@10A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ123ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:180nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11680pF@6V
连续漏极电流:238A
类型:P沟道
导通电阻:4mΩ@10A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存: