采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4036KW7TL
功率：150W
阈值电压：4.8V@11.1mA
栅极电荷：91nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.335nF@800V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：47mΩ@21A，18V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RH6P040BHTB1
功率：59W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：16.7nC@10V
输入电容：1.08nF@50V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：15.6mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG065N60E-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.7nF@100V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC009NE2LS5I
功率：2.5W
阈值电压：2V@250μA
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：0.95mΩ@10V，30A
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN6R706NC，L1XHQ
功率：100W€840mW
阈值电压：2.5V@300μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
输入电容：2nF@10V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.7mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC009NE2LS5I
功率：2.5W
阈值电压：2V@250μA
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：0.95mΩ@10V，30A
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RH6L040BGTB1
功率：2W€59W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：18.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.32nF@30V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.1mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL067N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：266W
阈值电压：4V@3.9mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.75nF@400V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@10V，20A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN6R706NC，L1XHQ
功率：100W€840mW
阈值电压：2.5V@300μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
输入电容：2nF@10V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.7mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC009NE2LS5I
功率：2.5W
阈值电压：2V@250μA
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：0.95mΩ@10V，30A
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4036KW7TL
功率：150W
阈值电压：4.8V@11.1mA
栅极电荷：91nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.335nF@800V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：47mΩ@21A，18V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG065N60E-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.7nF@100V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"4D+"：2000}
包装规格(MPQ)：319psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0381DPA-00#J5A
功率：45W
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：散装
输入电容：2.2nF@10V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1200APL，L1Q
功率：104W€630mW
阈值电压：2.5V@300μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.855nF@50V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC009NE2LS5I
功率：2.5W
阈值电压：2V@250μA
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：0.95mΩ@10V，30A
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1200APL，L1Q
功率：104W€630mW
阈值电压：2.5V@300μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.855nF@50V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC009NE2LS5I
功率：2.5W
阈值电压：2V@250μA
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：0.95mΩ@10V，30A
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RH6L040BGTB1
功率：2W€59W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.32nF@30V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.1mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG065N60E-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.7nF@100V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1200APL，L1Q
功率：104W€630mW
阈值电压：2.5V@300μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.855nF@50V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RH6L040BGTB1
功率：2W€59W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.32nF@30V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.1mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RH6P040BHTB1
功率：59W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：16.7nC@10V
输入电容：1.08nF@50V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：15.6mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG065N60E-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.7nF@100V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1200APL，L1Q
功率：104W€630mW
阈值电压：2.5V@300μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.855nF@50V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP40N055KLE-E1-AY
功率：66W€1.8W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@5V
输入电容：1.95nF@25V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1200APL，L1Q
功率：104W€630mW
阈值电压：2.5V@300μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.855nF@50V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4036KW7TL
功率：150W
阈值电压：4.8V@11.1mA
栅极电荷：91nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.335nF@800V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：47mΩ@21A，18V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC009NE2LS5I
功率：2.5W
阈值电压：2V@250μA
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：0.95mΩ@10V，30A
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1200APL，L1Q
功率：104W€630mW
阈值电压：2.5V@300μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.855nF@50V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ040N04LS G
功率：2.1W
阈值电压：2V@36μA
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.6mΩ@4.5V，20A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
