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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：996，"19+"：1244}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJL5014DPP-E0#T2
功率：35W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
输入电容：1.7nF@25V
连续漏极电流：19A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@9.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：996，"19+"：1244}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJL5014DPP-E0#T2
功率：35W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
输入电容：1.7nF@25V
连续漏极电流：19A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@9.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：996，"19+"：1244}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJL5014DPP-E0#T2
功率：35W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
输入电容：1.7nF@25V
连续漏极电流：19A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@9.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP165N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：142W
阈值电压：4V@1.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
输入电容：1.808nF@400V
连续漏极电流：19A
类型：1个N沟道
导通电阻：132mΩ@10V，9.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP165N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：142W
阈值电压：4V@1.6mA
栅极电荷：35nC@10V
输入电容：1.808nF@400V
连续漏极电流：19A
类型：1个N沟道
导通电阻：132mΩ@10V，9.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：996，"19+"：1244}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJL5014DPP-E0#T2
功率：35W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
输入电容：1.7nF@25V
连续漏极电流：19A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@9.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：996，"19+"：1244}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJL5014DPP-E0#T2
功率：35W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
输入电容：1.7nF@25V
连续漏极电流：19A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@9.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP165N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：142W
阈值电压：4V@1.6mA
栅极电荷：35nC@10V
输入电容：1.808nF@400V
连续漏极电流：19A
类型：1个N沟道
导通电阻：132mΩ@10V，9.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJMP210N65EC_T0_00601
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：34nC@10V
输入电容：1.412nF@400V
连续漏极电流：19A
类型：1个N沟道
导通电阻：210mΩ@9.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJMP210N65EC_T0_00601
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
输入电容：1.412nF@400V
连续漏极电流：19A
类型：1个N沟道
导通电阻：210mΩ@9.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJMP210N65EC_T0_00601
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
输入电容：1.412nF@400V
连续漏极电流：19A
类型：1个N沟道
导通电阻：210mΩ@9.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP165N65S3H
漏源电压：650V
导通电阻：132mΩ@10V，9.5A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：142W
类型：1个N沟道
连续漏极电流：19A
栅极电荷：35nC@10V
阈值电压：4V@1.6mA
输入电容：1.808nF@400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP165N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：142W
阈值电压：4V@1.6mA
栅极电荷：35nC@10V
输入电容：1.808nF@400V
连续漏极电流：19A
类型：1个N沟道
导通电阻：132mΩ@10V，9.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP165N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：142W
阈值电压：4V@1.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
输入电容：1.808nF@400V
连续漏极电流：19A
类型：1个N沟道
导通电阻：132mΩ@10V，9.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCEP1520K-ES
功率：62.5W
阈值电压：3V
栅极电荷：11.5nC
输入电容：675pF
连续漏极电流：19A
类型：1个N沟道
反向传输电容：4pF
导通电阻：57mΩ
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCEP1520K-ES
功率：62.5W
阈值电压：3V
栅极电荷：11.5nC
输入电容：675pF
连续漏极电流：19A
类型：1个N沟道
反向传输电容：4pF
导通电阻：57mΩ
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCEP1520K-ES
功率：62.5W
阈值电压：3V
栅极电荷：11.5nC
输入电容：675pF
连续漏极电流：19A
类型：1个N沟道
反向传输电容：4pF
导通电阻：57mΩ
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：996，"19+"：1244}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJL5014DPP-E0#T2
功率：35W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
输入电容：1.7nF@25V
连续漏极电流：19A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@9.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP165N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：142W
阈值电压：4V@1.6mA
栅极电荷：35nC@10V
输入电容：1.808nF@400V
连续漏极电流：19A
类型：1个N沟道
导通电阻：132mΩ@10V，9.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP165N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：142W
阈值电压：4V@1.6mA
栅极电荷：35nC@10V
输入电容：1.808nF@400V
连续漏极电流：19A
类型：1个N沟道
导通电阻：132mΩ@10V，9.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJMP210N65EC_T0_00601
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
输入电容：1.412nF@400V
连续漏极电流：19A
类型：1个N沟道
导通电阻：210mΩ@9.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJMP210N65EC_T0_00601
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
输入电容：1.412nF@400V
连续漏极电流：19A
类型：1个N沟道
导通电阻：210mΩ@9.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP165N65S3H
漏源电压：650V
导通电阻：132mΩ@10V，9.5A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：142W
类型：1个N沟道
连续漏极电流：19A
栅极电荷：35nC@10V
阈值电压：4V@1.6mA
输入电容：1.808nF@400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJMP210N65EC_T0_00601
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
输入电容：1.412nF@400V
连续漏极电流：19A
类型：1个N沟道
导通电阻：210mΩ@9.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCEP1520K-ES
功率：62.5W
阈值电压：3V
栅极电荷：11.5nC
输入电容：675pF
连续漏极电流：19A
类型：1个N沟道
反向传输电容：4pF
导通电阻：57mΩ
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
