品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DIT195N08
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:140nC@10V
输入电容:7.6nF@25V
连续漏极电流:195A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.95mΩ@40A,10V
漏源电压:85V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DIT195N08
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:140nC@10V
输入电容:7.6nF@25V
连续漏极电流:195A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.95mΩ@40A,10V
漏源电压:85V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DIT195N08
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:140nC@10V
输入电容:7.6nF@25V
连续漏极电流:195A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.95mΩ@40A,10V
漏源电压:85V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DIT195N08
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:140nC@10V
输入电容:7.6nF@25V
连续漏极电流:195A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.95mΩ@40A,10V
漏源电压:85V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DIT195N08
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:140nC@10V
输入电容:7.6nF@25V
连续漏极电流:195A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.95mΩ@40A,10V
漏源电压:85V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DIT195N08
阈值电压:4V@250μA
导通电阻:4.95mΩ@40A,10V
类型:1个N沟道
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
输入电容:7.6nF@25V
栅极电荷:140nC@10V
连续漏极电流:195A
漏源电压:85V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DIT195N08
阈值电压:4V@250μA
导通电阻:4.95mΩ@40A,10V
类型:1个N沟道
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
输入电容:7.6nF@25V
栅极电荷:140nC@10V
连续漏极电流:195A
漏源电压:85V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2233
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86066-F085
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.24nF@50V
连续漏极电流:185A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.1mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2233
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86066-F085
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.24nF@50V
连续漏极电流:185A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.1mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2233
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86066-F085
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.24nF@50V
连续漏极电流:185A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.1mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF2804STRLPBF
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:240nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.45nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:2mΩ@10V,75A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB140NF55T4
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:142nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.3nF@25V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ@40A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86066-F085
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.24nF@50V
连续漏极电流:185A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.1mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP260MPBF
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:234nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4.057nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@10V,28A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:2233
规格型号(MPN):FDBL86066-F085
连续漏极电流:185A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.24nF@50V
类型:1个N沟道
导通电阻:4.1mΩ@80A,10V
阈值电压:4V@250μA
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
栅极电荷:69nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: