采购热线 400-661-9010
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CAS120M12BM2
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
功率：925W
阈值电压：2.6V @ 6mA（标准）
栅极电荷：378nC @ 20V
包装方式：散装
输入电容：6470pF @ 800V
连续漏极电流：193A（Tc）
类型：2 个 N 通道（半桥）
导通电阻：16 毫欧 @ 120A，20V
漏源电压：1200V（1.2kV）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CAS120M12BM2
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
功率：925W
阈值电压：2.6V @ 6mA（标准）
栅极电荷：378nC @ 20V
包装方式：散装
输入电容：6470pF @ 800V
连续漏极电流：193A（Tc）
类型：2 个 N 通道（半桥）
导通电阻：16 毫欧 @ 120A，20V
漏源电压：1200V（1.2kV）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CAS120M12BM2
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
功率：925W
阈值电压：2.6V @ 6mA（标准）
栅极电荷：378nC @ 20V
包装方式：散装
输入电容：6470pF @ 800V
连续漏极电流：193A（Tc）
类型：2 个 N 通道（半桥）
导通电阻：16 毫欧 @ 120A，20V
漏源电压：1200V（1.2kV）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CAS120M12BM2
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
功率：925W
阈值电压：2.6V @ 6mA（标准）
栅极电荷：378nC @ 20V
包装方式：散装
输入电容：6470pF @ 800V
连续漏极电流：193A（Tc）
类型：2 个 N 通道（半桥）
导通电阻：16 毫欧 @ 120A，20V
漏源电压：1200V（1.2kV）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ710DT-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：27W，48W
阈值电压：2.2V @ 250µA
栅极电荷：18nC @ 10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF @ 10V
连续漏极电流：16A，35A
类型：2 个 N 通道（半桥）
导通电阻：6.8 毫欧 @ 19A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC60N04S6L030HATMA1
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：75W（Tc）
阈值电压：2V @ 25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC @ 10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2128pF @ 25V
连续漏极电流：60A（Tj）
类型：2 个 N 通道（半桥）
导通电阻：3 毫欧 @ 30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC60N04S6L030HATMA1
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：75W（Tc）
阈值电压：2V @ 25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC @ 10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2128pF @ 25V
连续漏极电流：60A（Tj）
类型：2 个 N 通道（半桥）
导通电阻：3 毫欧 @ 30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CAS120M12BM2
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
功率：925W
阈值电压：2.6V @ 6mA（标准）
栅极电荷：378nC @ 20V
包装方式：散装
输入电容：6470pF @ 800V
连续漏极电流：193A（Tc）
类型：2 个 N 通道（半桥）
导通电阻：16 毫欧 @ 120A，20V
漏源电压：1200V（1.2kV）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ710DT-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：27W，48W
阈值电压：2.2V @ 250µA
栅极电荷：18nC @ 10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF @ 10V
连续漏极电流：16A，35A
类型：2 个 N 通道（半桥）
导通电阻：6.8 毫欧 @ 19A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7620S-F106
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
连续漏极电流：10.1A，12.4A
导通电阻：20 毫欧 @ 10.1A，10V
输入电容：608pF @ 15V
栅极电荷：11nC @ 10V
类型：2 个 N 通道（半桥）
功率：1W
ECCN：EAR99
阈值电压：3V @ 250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ710DT-T1-GE3
输入电容：820pF @ 10V
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：2.2V @ 250µA
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
连续漏极电流：16A，35A
栅极电荷：18nC @ 10V
导通电阻：6.8 毫欧 @ 19A，10V
功率：27W，48W
漏源电压：20V
类型：2 个 N 通道（半桥）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
